时间：2025/12/28 14:25:20
阅读：19
PMG370XN是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用Trench沟槽技术制造，具有优异的导通电阻和开关性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。PMG370XN采用SOT223封装形式，适用于表面贴装工艺，具有良好的热管理和功率处理能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：42mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：19nC
功耗（Ptot）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT223
PMG370XN采用了先进的Trench沟道技术，使得其在导通状态下的电阻非常低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该MOSFET具有较高的栅极稳定性，能够承受高达±20V的栅源电压，提高了其在复杂电路环境中的可靠性。
PMG370XN的封装设计（SOT223）不仅支持表面贴装工艺，还具备良好的散热性能，确保在高电流应用中仍能保持稳定的温度表现。其2.5W的额定功耗使其适用于多种中高功率场景，例如电池管理系统、电源适配器和工业自动化设备。
该器件的开关特性也非常优异，快速的开关速度有助于减少开关损耗，提高系统效率。同时，PMG370XN具有较低的栅极电荷（Qg），进一步提升了其在高频开关应用中的表现。此外，其高耐用性和良好的热稳定性使其在苛刻的工作环境下仍能保持稳定运行。
PMG370XN广泛应用于多种电子系统中，包括但不限于：电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关控制、电机驱动器、工业自动化设备以及电池供电设备等。由于其出色的导通特性和良好的热管理能力，该MOSFET也常用于高密度电源设计和需要高效率转换的场合。
Si4410BDY、IRF7413、FDN340P、PMG370N、PMG371N
