KSC421J70SHLFS 时间：2025/12/29 13:38:27 阅读：7

KSC421J70SHLFS 是一款由KSD（Korea Semiconductor）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、功率放大和高频率开关应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种高性能电源系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：70V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：30A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为8.8mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散(PD)：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　栅极电荷(Qg)：约50nC
　　输入电容(Ciss)：约1900pF
　　反向恢复时间(trr)：约250ns

特性

KSC421J70SHLFS MOSFET采用了先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件的低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高功率密度环境下稳定运行。其TO-263（D2PAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上进行表面贴装，适用于自动化生产流程。
　　该器件的高耐压特性（70V VDS）使其适用于多种电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和负载开关等应用。同时，其出色的雪崩击穿耐受能力提高了器件在极端工作条件下的可靠性。

应用

KSC421J70SHLFS广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。例如，它常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）以及电机驱动器中的高侧或低侧开关。
　　在服务器和通信设备的电源模块中，该MOSFET用于高效能电源转换和稳压系统。此外，在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电池保护系统中也有广泛应用。
　　由于其高频开关性能和低导通损耗，KSC421J70SHLFS也适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源系统以及工业自动化控制系统中的功率开关模块。