型号：CIG22W1R5MNE
　　制造商：Knowles Novacap
　　电容值：1.5 pF
　　电容数量：2个
　　额定电压：50 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：C0G（NP0）
　　容差：±0.05 pF
　　封装类型：LCC-4（陶瓷扁平无引线）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　介质材料：陶瓷（LTCC）
　　端接材料：金或镍/金可选
　　Q值：典型值 > 1000 @ 1 GHz
　　自谐振频率（SRF）：典型值 > 10 GHz
　　寄生电感：极低（典型 < 0.1 nH）
　　绝缘电阻：> 100 GΩ
　　耐压测试：1.5倍额定电压，1秒

CIG22W1R5MNE的核心特性之一是其采用C0G（也称NP0）温度系数陶瓷介质，这种材料具有极其稳定的介电性能，电容值随温度变化几乎为零（通常在±30 ppm/°C以内），确保了在极端温度环境下仍能维持精准的电容值，适用于对频率稳定性要求极高的射频振荡器、滤波器和匹配网络。该器件的电容容差控制在±0.05 pF以内，表现出卓越的精度一致性，对于需要高匹配度的差分电路或平衡-不平衡转换器（Balun）等应用场景至关重要。两个电容单元之间的对称性和匹配性经过严格控制，有效减少相位失配和信号失真。
　　CIG22W1R5MNE基于低温共烧陶瓷（LTCC）工艺制造，该工艺允许在三维空间内构建复杂的内部电极结构，从而实现超低的寄生电感和寄生电阻，显著提升器件的高频响应能力。其自谐振频率（SRF）可超过10 GHz，使其在毫米波频段仍能保持接近理想的电容行为，避免因寄生效应在高频下导致的性能下降。高Q值（>1000 @ 1 GHz）意味着能量损耗极小，适用于高选择性滤波器和谐振电路，有助于提高系统效率和信噪比。
　　该器件采用陶瓷扁平无引线（LCC）封装，具有优异的热导率和热稳定性，能够快速散热并抵抗热冲击。陶瓷材料本身具备高绝缘强度和低吸湿性，增强了器件在潮湿、高温或真空环境下的长期可靠性。金或镍/金端接选项提高了焊接可靠性和抗腐蚀能力，尤其适合高可靠性军工和航天应用。此外，其小型化封装（通常为1.6 mm × 0.8 mm或类似尺寸）节省PCB空间，支持高密度布局，同时降低走线长度，进一步减少分布参数对高频信号的影响。整体设计兼顾电气性能、机械强度和工艺兼容性，是高端射频系统中不可或缺的关键无源元件。

CIG22W1R5MNE主要用于高性能射频和微波电路中，特别是在需要高精度、高稳定性和低损耗的场合。典型应用包括5G无线通信基础设施中的射频前端模块，如功率放大器（PA）输出匹配网络、低噪声放大器（LNA）输入匹配、双工器和滤波器电路，其稳定的电容值和高频特性有助于优化增益、带宽和线性度。在雷达系统中，该器件常用于相控阵天线单元的移相器和馈电网络，确保信号相位一致性，提升波束成形精度。在测试与测量设备（如矢量网络分析仪、信号发生器）中，CIG22W1R5MNE用于校准电路和参考路径，保障测量精度。
　　此外，该器件广泛应用于卫星通信和航空航天电子系统，例如星载收发机、导航系统和遥测模块，其高可靠性设计满足MIL-PRF-55681等军用规范要求，能够在极端温度循环、振动和辐射环境下长期稳定工作。在毫米波成像、汽车雷达（77 GHz）和高速数字通信（如400 GbE）系统中，CIG22W1R5MNE作为高频旁路和去耦电容，有效抑制电源噪声，提升信号完整性。由于其低寄生电感和高自谐振频率，它也可用于晶振电路、VCO调谐电路和RFID读写器中，确保频率稳定性与响应速度。总之，该器件适用于所有对高频性能、温度稳定性和长期可靠性有严苛要求的先进电子系统。

CIG22W1R8MNE
　　CIG22W1R2MNE
　　CIG22W2R0MNE