时间：2025/9/13 22:35:35
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PMF250XNEA是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频率应用。该器件采用先进的技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。PMF250XNEA封装为PowerFLAT 5x6，体积小巧且散热性能优异，适合现代电子设备中对空间和能效有高要求的应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：25V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
最大连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：最大5.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
功率耗散(Pd)：100W
输入电容(Ciss)：1900pF @ Vds=10V
反向恢复时间(trr)：30ns
PMF250XNEA具有多项优异的电气和热性能，使其在功率MOSFET领域中表现出色。
首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）仅为5.5毫欧，显著降低了在高电流下的导通损耗，提高了整体能效。这种低Rds(on)特性使其非常适合用于高功率密度设计，例如服务器电源、DC-DC转换器和电池管理系统。
其次，PMF250XNEA的最大连续漏极电流可达60A，支持高负载条件下的稳定运行，同时具备良好的过载能力。这使得它在电机驱动和负载开关应用中具有出色的可靠性。
此外，该MOSFET采用PowerFLAT 5x6封装，提供良好的散热性能，有助于降低热阻，确保在高功耗应用中的稳定性和耐用性。其紧凑的封装尺寸也适合空间受限的设计，如便携式设备和嵌入式系统。
器件的栅极驱动电压范围为±12V，推荐在10V条件下工作，以确保最佳的导通性能。同时，其输入电容（Ciss）为1900pF，响应速度快，适用于高频开关应用，如同步整流和开关电源（SMPS）。
PMF250XNEA还具备出色的热稳定性，工作温度范围从-55°C到150°C，适合工业和汽车电子等严苛环境下的应用。反向恢复时间（trr）仅为30ns，进一步提升了开关性能，减少开关损耗，提高系统效率。
PMF250XNEA由于其高电流能力和低导通电阻，广泛应用于多种高功率电子系统中。其中，最常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制和功率分配系统。在服务器电源和电信设备中，PMF250XNEA可作为主开关或同步整流元件，以提高转换效率并降低功耗。此外，它还可用于工业自动化设备中的电机驱动模块，提供稳定的高电流输出和高效的能量传输。在电动汽车和储能系统中，该器件可用于电池充放电管理电路，确保高效、安全的能量流动。由于其优异的高频特性，PMF250XNEA也适用于高频开关电源（SMPS）和LED照明驱动器。其紧凑的PowerFLAT封装使其成为空间受限的便携式设备和嵌入式系统的理想选择。
STL250N3LLF, PMF250XN, PMF270XNEA
