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PMEG3005ESFYL 发布时间 时间:2025/9/14 3:11:35 查看 阅读:6

PMEG3005ESFYL是一款由Nexperia(安世半导体)生产的高性能肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier)。该器件采用先进的Trench肖特基技术,提供了极低的正向电压降(VF)和优异的反向漏电流(IR)性能,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。PMEG3005ESFYL采用无卤素、符合RoHS标准的封装,适用于广泛的工业、汽车和消费类电子应用。

参数

类型:肖特基二极管
  最大正向电流(IF):30A
  最大反向电压(VR):5V
  正向电压降(VF):最大为0.27V(典型值为0.21V,测试条件为IF=15A)
  反向漏电流(IR):最大为0.1mA(在VR=5V时)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:DFN2020-2(也称为SOD128)
  热阻(Rth):约10°C/W
  符合标准:符合RoHS指令,无卤素

特性

PMEG3005ESFYL采用了Nexperia的Trench肖特基技术,这种技术通过在硅片上制造微型凹槽结构来优化电场分布,从而显著降低正向电压降并减少反向漏电流。这一特性使得该器件在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗,提高了整体能效。
  此外,PMEG3005ESFYL具有极低的热阻,能够在高功率密度设计中有效散热,确保在高温环境下的稳定运行。其封装形式DFN2020-2具有较小的封装尺寸,适合空间受限的设计,同时具备良好的机械强度和焊接可靠性。
  器件的正向电压降在宽温度范围内保持稳定,即使在高温环境下也能提供出色的能效表现。这种稳定的电气特性使得PMEG3005ESFYL在汽车电子、服务器电源、电池管理系统以及DC-DC转换器等对效率和可靠性要求较高的应用场景中表现出色。
  由于其低正向压降和快速开关特性,PMEG3005ESFYL在高频开关电源中也能提供优异的性能,减少了开关损耗并提高了系统的整体效率。同时,该器件具有极短的反向恢复时间(trr),几乎可以忽略不计,因此非常适合用于高频整流和续流应用。

应用

PMEG3005ESFYL广泛应用于多种高能效和高可靠性要求的电子系统中。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、DC-DC转换器、电池管理系统以及LED照明驱动电路。由于其优异的高温性能,PMEG3005ESFYL非常适合在严苛的汽车工作环境中稳定运行。
  在工业自动化和控制系统中,PMEG3005ESFYL常用于开关电源(SMPS)、伺服电机驱动器、PLC模块以及工业传感器的电源管理部分。其低导通损耗有助于提高设备的整体能效,同时减少散热需求,降低系统成本。
  在消费类电子产品中,PMEG3005ESFYL可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电电路中,提供高效的电源转换和稳定的电流输出。其小型封装也使得设备可以实现更紧凑的设计。
  此外,该器件还广泛用于服务器和通信设备的电源系统中,如数据中心的高效电源模块、5G基站的射频功率放大器供电电路等。这些应用对能效和可靠性要求极高,而PMEG3005ESFYL的低VF和高耐热性正好满足这些需求。

替代型号

PMEG3005EHFYL, PMEG3005EAR, PMEG3005EAY

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PMEG3005ESFYL参数

  • 现有数量8,764现货
  • 价格1 : ¥3.10000剪切带(CT)9,000 : ¥0.47493卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)500mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)720 mV @ 500 mA
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)1.42 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏9 μA @ 30 V
  • 不同?Vr、F 时电容21pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 供应商器件封装DSN0603-2
  • 工作温度 - 结150°C(最大)