时间：2025/9/14 17:34:26
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PMEG2010BER,115 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能肖特基整流器（Schottky Barrier Rectifier）。该器件采用先进的Trench肖特基技术，具有较低的正向电压降（VF）和较高的效率，适用于需要高能效和快速开关性能的电源转换应用。该器件的最大平均整流电流为20A，最大反向电压为100V，适合用于DC-DC转换器、同步整流、电源管理和电池充电系统等领域。
类型：肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
最大平均整流电流（IF(AV)）：20A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A
最大正向电压（VF @ 10A）：0.35V（典型值）
最大反向漏电流（IR @ 100V）：100μA（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
安装类型：通孔
PMEG2010BER,115 采用先进的Trench肖特基技术，显著降低了正向电压降，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。
其低正向电压（VF）在10A电流下仅为0.35V（典型值），使其非常适合用于高效率的电源转换系统。
该器件具有优异的热稳定性和抗热失控能力，能够在高温环境下可靠运行。
快速的反向恢复时间（trr）几乎可以忽略不计，非常适合高频开关应用。
该肖特基二极管具有较高的浪涌电流承受能力（IFSM高达80A），能够在瞬态条件下保持稳定运行。
其封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
工作温度范围广泛（-55°C至+175°C），可在严苛的工业和汽车环境中稳定工作。
PMEG2010BER,115广泛应用于多种电源系统，包括但不限于：DC-DC转换器中的同步整流器、电源适配器、电池充电器、UPS（不间断电源）、工业电源、电信电源系统以及汽车电子中的功率转换模块。
由于其高效率和快速开关特性，它特别适用于需要提高能效和减小尺寸的高密度电源设计。
此外，该器件也可用于反激式和正激式电源中的输出整流部分，以提升整体系统性能。
PMEG2010EA,115; PSMN2010-115; PSMN2010PL,115
