PMEG2010BER,115 是由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款高性能肖特基整流器(Schottky Barrier Rectifier)。该器件采用先进的Trench肖特基技术,具有较低的正向电压降(VF)和较高的效率,适用于需要高能效和快速开关性能的电源转换应用。该器件的最大平均整流电流为20A,最大反向电压为100V,适合用于DC-DC转换器、同步整流、电源管理和电池充电系统等领域。
类型:肖特基二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
最大平均整流电流(IF(AV)):20A
峰值正向浪涌电流(IFSM):80A
最大正向电压(VF @ 10A):0.35V(典型值)
最大反向漏电流(IR @ 100V):100μA(最大)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220AB
安装类型:通孔
PMEG2010BER,115 采用先进的Trench肖特基技术,显著降低了正向电压降,从而减少了导通损耗,提高了整体能效。
其低正向电压(VF)在10A电流下仅为0.35V(典型值),使其非常适合用于高效率的电源转换系统。
该器件具有优异的热稳定性和抗热失控能力,能够在高温环境下可靠运行。
快速的反向恢复时间(trr)几乎可以忽略不计,非常适合高频开关应用。
该肖特基二极管具有较高的浪涌电流承受能力(IFSM高达80A),能够在瞬态条件下保持稳定运行。
其封装形式为TO-220AB,具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。
工作温度范围广泛(-55°C至+175°C),可在严苛的工业和汽车环境中稳定工作。
PMEG2010BER,115广泛应用于多种电源系统,包括但不限于:DC-DC转换器中的同步整流器、电源适配器、电池充电器、UPS(不间断电源)、工业电源、电信电源系统以及汽车电子中的功率转换模块。
由于其高效率和快速开关特性,它特别适用于需要提高能效和减小尺寸的高密度电源设计。
此外,该器件也可用于反激式和正激式电源中的输出整流部分,以提升整体系统性能。
PMEG2010EA,115; PSMN2010-115; PSMN2010PL,115