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PMEG2010BER,115 发布时间 时间:2025/9/14 17:34:26 查看 阅读:23

PMEG2010BER,115 是由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款高性能肖特基整流器(Schottky Barrier Rectifier)。该器件采用先进的Trench肖特基技术,具有较低的正向电压降(VF)和较高的效率,适用于需要高能效和快速开关性能的电源转换应用。该器件的最大平均整流电流为20A,最大反向电压为100V,适合用于DC-DC转换器、同步整流、电源管理和电池充电系统等领域。

参数

类型:肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
  最大平均整流电流(IF(AV)):20A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):80A
  最大正向电压(VF @ 10A):0.35V(典型值)
  最大反向漏电流(IR @ 100V):100μA(最大)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220AB
  安装类型:通孔

特性

PMEG2010BER,115 采用先进的Trench肖特基技术,显著降低了正向电压降,从而减少了导通损耗,提高了整体能效。
  其低正向电压(VF)在10A电流下仅为0.35V(典型值),使其非常适合用于高效率的电源转换系统。
  该器件具有优异的热稳定性和抗热失控能力,能够在高温环境下可靠运行。
  快速的反向恢复时间(trr)几乎可以忽略不计,非常适合高频开关应用。
  该肖特基二极管具有较高的浪涌电流承受能力(IFSM高达80A),能够在瞬态条件下保持稳定运行。
  其封装形式为TO-220AB,具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。
  工作温度范围广泛(-55°C至+175°C),可在严苛的工业和汽车环境中稳定工作。

应用

PMEG2010BER,115广泛应用于多种电源系统,包括但不限于:DC-DC转换器中的同步整流器、电源适配器、电池充电器、UPS(不间断电源)、工业电源、电信电源系统以及汽车电子中的功率转换模块。
  由于其高效率和快速开关特性,它特别适用于需要提高能效和减小尺寸的高密度电源设计。
  此外,该器件也可用于反激式和正激式电源中的输出整流部分,以提升整体系统性能。

替代型号

PMEG2010EA,115; PSMN2010-115; PSMN2010PL,115

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PMEG2010BER,115产品

PMEG2010BER,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)20V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)450mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50µA @ 20V
  • 电容@ Vr, F185pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123W
  • 供应商设备封装SOD123W
  • 包装带卷 (TR)