时间：2025/6/11 11:39:49
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FV55X393K202EHG是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。
其封装形式为TO-263（DPAK），适合表面贴装，能够在紧凑的空间内提供卓越的电气性能。此型号专为要求高效能和小尺寸的应用而设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：27A
导通电阻：2.4mΩ
栅极电荷：85nC
总功耗：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263 (DPAK)
FV55X393K202EHG的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 优化的热设计，提升散热能力。
4. 良好的静电防护性能，增强芯片的可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围，适应多种极端环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 汽车电子系统中的负载开关。
4. DC-DC转换器及逆变器设计。
5. 大功率LED驱动电路。
6. 其他需要高效能功率管理的场景。
FV55X393K202EHG-A, FV55X393K202EHG-R
