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PMEG120G30ELPX 发布时间 时间:2025/9/13 21:30:11 查看 阅读:12

PMEG120G30ELPX 是恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的一款高性能、双极性功率晶体管(BJT),主要用于功率放大和开关应用。这款晶体管采用了先进的制造工艺,确保在高电压和高电流条件下具有出色的性能和稳定性。PMEG120G30ELPX 是一款 NPN 型晶体管,适合在工业控制、电源管理和汽车电子等需要高可靠性的应用中使用。

参数

类型:NPN型晶体管
  最大集电极电流(Ic):12A
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Ptot):80W
  最大工作温度:150°C
  封装类型:TO-220AB
  增益(hFE):在2mA至5A范围内,分组为hFE等级
  过渡频率(fT):100MHz
  饱和电压(Vce_sat):最大2.5V(在Ic=12A时)

特性

PMEG120G30ELPX 具备多项卓越特性,使其成为高性能应用的理想选择。首先,它具有较高的最大集电极电流(12A)和较低的饱和电压(Vce_sat),这使其在高电流条件下能够保持良好的能效,减少功耗并提高系统的整体效率。其次,该晶体管的封装采用 TO-220AB 设计,具备良好的散热性能,能够在高功率环境下稳定运行。此外,其最大功耗为80W,能够在高温条件下保持可靠的性能。
  该晶体管的工作温度范围较宽,最高可达150°C,因此在严苛的工业和汽车应用中表现出色。PMEG120G30ELPX 还具有较高的过渡频率(fT)达到100MHz,适用于高频开关和放大电路。该晶体管的 hFE(电流增益)范围广泛,并根据不同的工作电流进行分组,确保在不同负载条件下都能提供稳定的增益表现。
  此外,该器件采用了 NXP 的先进工艺技术,确保了在高电压和高电流下的稳定性和耐用性。其低饱和电压特性也减少了热损耗,延长了器件的使用寿命,并提高了系统的可靠性。

应用

PMEG120G30ELPX 主要应用于需要高电流和高稳定性的电路中,如电源管理、功率放大器、电机控制、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电源管理应用中,该晶体管可用于 DC-DC 转换器、稳压器和负载开关,提供高效、稳定的功率控制。在电机控制和工业自动化中,该器件可用于驱动高功率负载,如直流电机和继电器,确保设备的稳定运行。
  在汽车电子系统中,PMEG120G30ELPX 可用于车身控制模块、电动助力转向系统(EPS)、电动泵和风扇控制等应用。其高可靠性和宽工作温度范围,使其能够适应汽车环境中的振动、温度变化和电磁干扰。此外,在音频功率放大器设计中,该晶体管由于其高电流容量和良好的线性特性,常用于构建高保真音频放大电路,提供清晰的音频输出。

替代型号

TIP122, TIP42C, BDW83D, MJ21194

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PMEG120G30ELPX参数

  • 现有数量27,780现货
  • 价格1 : ¥3.74000剪切带(CT)3,000 : ¥1.31184卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术SiGe(硅锗)
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)120 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)3A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)840 mV @ 3 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)11 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏30 nA @ 120 V
  • 不同?Vr、F 时电容103pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-128
  • 供应商器件封装SOD-128/CFP5
  • 工作温度 - 结175°C(最大)