型号：CL21B684KAFVPNE
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0805 (2012)
　　电容值：680nF (0.68μF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　电介质类型：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　绝缘电阻：≥4GΩ 或 RC ≥ 500S（取较小值）
　　耐久性：在额定电压和+125°C下持续工作1000小时后，电容变化不超过初始限值
　　端电极结构：Ni/Pd/Sn 三层电极
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS、REACH、AEC-Q200（部分等级适用）

CL21B684KAFVPNE 所采用的 X7R 电介质材料是一种稳定的铁电陶瓷配方，能够在宽温度范围内维持电容值的相对稳定，其电容变化率被严格控制在 ±15% 以内，适用于对电容稳定性有一定要求但不需要像C0G/NP0那样极高精度的应用场合。这种介电材料通过掺杂改性的钡钛矿系陶瓷实现，在高温和偏置电压下仍能保持较好的性能表现。
　　该器件的结构设计采用了超薄介质层叠技术，使得在小尺寸封装内实现较大电容量成为可能。CL21B系列优化了内部电极排列与介质厚度控制，提升了单位体积下的电容密度，同时降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而增强了高频响应能力，适用于开关电源中的滤波应用。
　　机械方面，CL21B684KAFVPNE 具备较强的抗弯曲裂纹能力，其端子结构经过强化设计，能够有效缓解PCB弯折或热应力引起的陶瓷开裂问题，提高产品在实际使用中的可靠性。此外，该电容经过严格的湿度敏感等级（MSL1）测试，可在常温干燥环境下长期储存而不影响焊接性能。
　　电气可靠性方面，该器件在高温高湿偏压（H3TRB）测试条件下表现出优异的耐久性，通常可在85°C/85%RH、施加额定电压的情况下连续工作1000小时以上而无明显劣化。这使其适用于严苛环境下的长期运行系统，如工业自动化设备和车载信息娱乐系统。
　　生产过程中，三星采用先进的自动化制造工艺和在线检测系统，确保每批次产品的高度一致性与低缺陷率。产品支持高速贴片机作业，适用于大规模自动化生产流程。

CL21B684KAFVPNE 广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要中等容量、中高压以及良好温度稳定性的电路设计场景。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器的输入和输出滤波，有效抑制电压纹波和瞬态干扰，提升电源输出的稳定性。由于其较低的ESR和良好的频率响应特性，该电容能够在数百kHz至数MHz的工作频率下保持高效的滤波效果。
　　在模拟信号链路中，该器件可用于交流耦合和去耦应用，例如音频放大器前级信号传输、传感器信号调理电路中的隔直通交功能，避免直流偏移影响后续处理级。其X7R材质虽然存在一定电压系数（即电容值随施加电压下降），但在非精密模拟电路中仍可接受。
　　在工业控制设备中，如PLC模块、人机界面（HMI）、数据采集系统等，CL21B684KAFVPNE 被广泛用于IC电源引脚的局部去耦，防止数字开关噪声影响敏感电路。同时，也可作为定时电路或振荡回路中的辅助电容使用。
　　在通信设备中，包括路由器、交换机、基站模块等，该电容用于接口保护电路和电源轨滤波，增强系统的电磁兼容性（EMC）。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能电视中，尽管更高容值的产品趋向使用聚合物电容或多颗并联方案，但此型号仍常见于辅助电源域或背光驱动电路中。
　　随着汽车电子化程度加深，该型号也逐步进入车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元等领域，尤其是在满足AEC-Q200可靠性标准的部分批次产品中得到应用。

GRM21BR71H684KA01
　　 C2012X7R1H684K
　　 ECJ-2VB1H684K
　　 CL21B684KBPNLNE