时间：2025/5/7 15:32:02
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PMEG100V080ELPD是一款高性能的MOSFET功率晶体管，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件采用先进的制造工艺设计，旨在提供低导通电阻和高效率，适用于各种开关应用。PMEG100V080ELPD属于逻辑电平驱动系列，具有较低的栅极阈值电压，便于与逻辑电路直接连接。
这款MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能和较高的电流处理能力。其主要特点是能够在高频开关条件下保持低损耗，并支持较宽的工作温度范围。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：3.6mΩ
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：150W
工作结温范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-220
PMEG100V080ELPD具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通损耗并提高整体系统效率。
2. 支持逻辑电平驱动，栅极阈值电压低，简化了驱动电路的设计。
3. 高额定电流和电压，适用于多种大功率应用场景。
4. 良好的热稳定性，适合在极端温度环境下使用。
5. 短路耐受能力强，提高了系统的可靠性和安全性。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
PMEG100V080ELPD广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统，如启动马达控制、电池管理系统等。
4. DC-DC转换器和逆变器。
5. 过流保护和负载切换电路。
6. 太阳能微逆变器及其他可再生能源相关产品。
IRFZ44N
STP80NF10
IXTP80N10T2
