PMEG060V050EPD 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的肖特基势垒二极管 (SBD),由意法半导体 (STMicroelectronics) 推出。该器件具有高效率、快速恢复特性和低正向电压降等优势,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。
肖特基二极管的特点在于其零反向恢复电荷 (Qrr),这使其在高频应用中表现出色,同时减少了开关损耗和电磁干扰 (EMI)。
最大正向电压:1.9V@25°C
反向重复峰值电压:600V
最大连续正向电流:50A
总功耗:340W
结温范围:-55°C 至 175°C
封装形式:PowerDI123
PMEG060V050EPD 的核心特性包括以下几点:
1. 高温性能稳定:能够在高达 175°C 的结温下工作,适合恶劣环境下的工业应用。
2. 极低的正向压降:确保高效能量转换,减少热损耗。
3. 快速开关能力:由于没有反向恢复时间 (trr = 0ns),它非常适合高频应用。
4. 耐浪涌电流能力强:可承受瞬态过载而不损坏,提升系统可靠性。
5. 使用碳化硅技术:相比传统硅基二极管,提供更高的效率和更低的能耗。
6. 小型化设计:PowerDI123 封装有助于节省电路板空间,满足紧凑型设计需求。
PMEG060V050EPD 主要应用于以下领域:
1. 工业电源:
- 高频开关电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
2. 新能源:
- 光伏逆变器
- 风能转换系统
3. 电动汽车:
- DC-DC 转换器
- 车载充电器 (OBC)
4. 消费电子:
- 快速充电适配器
- 笔记本电脑电源
5. 电机驱动:
- 变频器
- 伺服控制器
PMEG060V050ED, PMEG060V050ET