时间：2025/9/14 12:10:53
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PMEG045T100EPDAZ 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的功率转换特性。该器件封装为 HVSON10 封装（也称为 LFPAK56），适用于空间受限和高功率密度的应用。PMEG045T100EPDAZ 特别适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：功率 MOSFET
通道类型：双 N 沟道增强型
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.5A（每个通道）
导通电阻 Rds(on)：最大 100mΩ（在 Vgs = 10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：HVSON10 (LFPAK56)
安装类型：表面贴装
功率耗散：1.8W
引脚数：10
PMEG045T100EPDAZ 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高能效。该器件的双 N 沟道 MOSFET 结构允许它在单一封装中实现两个独立的开关控制，从而节省电路板空间并简化设计。HVSON10 封装具有出色的热性能，能够有效地将热量传导到 PCB 上，适用于高功率密度设计。
此外，PMEG045T100EPDAZ 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 到 10V 之间工作，使其兼容多种驱动电路，包括低压控制器。其高耐压能力（40V）允许在多种电源拓扑结构中使用，如同步整流、H 桥电机驱动和负载开关等。
该器件还具有良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定工作，具备较强的抗热失效能力。其封装结构也具有较高的机械强度和可靠性，适用于汽车电子、工业自动化、消费类电源设备等对可靠性要求较高的应用场景。
PMEG045T100EPDAZ 主要应用于需要高效率、小尺寸封装和高性能功率控制的场合。常见应用包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器、LED 照明调光电路、电池管理系统以及各种电源管理模块。由于其双通道结构，该器件特别适合用于需要双路独立控制的 H 桥电机驱动电路或双相降压转换器设计。
在汽车电子领域，PMEG045T100EPDAZ 可用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及电池管理系统（BMS）中的功率开关。在工业应用中，该器件可应用于自动化控制设备、PLC 模块、智能电表以及工业电源模块。消费类电子产品方面，该器件适用于移动电源、无线充电器、智能家电控制器等对功率密度和效率要求较高的设备。
Si8462CD, TPS2H160, PMEG045T100EPEA
