时间：2025/9/15 2:56:09
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PMDT290UNE 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用高性能的MDmesh技术制造。该器件专为高效率、高频率的电源转换应用设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能，适用于如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机控制等多种应用场合。PMDT290UNE 采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装，具有良好的散热性能和空间利用率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V时，最大为4.5mΩ；@VGS=4.5V时，最大为6.5mΩ
功率耗散（PD）：80W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
PMDT290UNE 采用先进的MDmesh技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
该器件的低栅极电荷（Qg）特性使其适用于高频开关应用，减少了开关损耗并提高了整体系统的响应速度。
其PowerFLAT 5x6封装具备出色的热管理性能，能够有效散热，从而在高电流工作条件下保持稳定性能。
PMDT290UNE 具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性和耐用性。
该MOSFET还具备良好的抗过热和过电流能力，有助于防止在恶劣工作环境下的损坏，提升系统的稳定性与安全性。
PMDT290UNE 适用于多种高功率、高效率的电源转换系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统（BMS）。
它在工业自动化设备、服务器电源、电信设备、消费类电子产品以及电动车充电系统中均有广泛的应用。
由于其低导通电阻和高频特性，PMDT290UNE 也常用于同步整流器、高边开关和功率因数校正（PFC）电路中。
此外，该器件在太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车（EV）充电设备等新能源领域中也扮演着重要角色。
STL33N3LLH5AG, IPD90N3L03LD, FDD6688, SiR340DP
