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PMD3001D 发布时间 时间:2025/9/15 1:58:41 查看 阅读:19

PMD3001D 是一款由 STMicroelectronics 生产的低电压、低功耗、双通道MOSFET驱动器集成电路,常用于驱动N沟道和P沟道功率MOSFET或IGBT。它专为需要高速开关的应用而设计,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电设备等场景。PMD3001D采用14引脚TSSOP封装,具有宽工作电压范围(4.5V至18V),支持独立的高低边驱动,具备欠压锁定保护(UVLO)功能。

参数

类型:MOSFET驱动器
  通道数:2通道
  工作电压范围:4.5V 至 18V
  输出电流(源/灌):0.35A / 0.5A(典型值)
  输入逻辑类型:CMOS/TTL兼容
  传播延迟:典型20ns
  上升/下降时间:典型15ns(在18V电源下)
  封装类型:14引脚 TSSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

PMD3001D具备多项关键特性以确保其在各种应用中的稳定性和可靠性。
  首先,PMD3001D采用了独立的高边和低边驱动通道设计,允许其同时控制两个功率MOSFET,适用于H桥或同步整流拓扑结构。该设计不仅提高了驱动效率,还增强了系统设计的灵活性。
  其次,该器件支持宽电压输入范围(4.5V至18V),使其适用于多种电源架构,包括使用5V、12V或锂离子电池供电的系统。这种宽电压范围确保了在不同工作条件下依然保持稳定的性能。
  此外,PMD3001D内置欠压锁定功能(UVLO),当电源电压低于安全阈值时会自动关闭输出,以防止在低电压状态下误操作导致功率器件损坏,从而提高系统安全性。
  为了确保高速操作,PMD3001D具有较低的传播延迟(典型值为20ns)和快速的上升/下降时间(典型15ns),这使得它适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和开关电源(SMPS)等。
  其输入逻辑兼容CMOS和TTL电平,方便与微控制器或其他数字控制器连接,简化了系统集成过程。
  最后,PMD3001D采用14引脚TSSOP封装,具有良好的散热性能,同时支持工业级工作温度范围(-40°C至+125°C),适用于严苛环境下的应用。

应用

PMD3001D 广泛应用于需要高效、高速MOSFET驱动的各类电子系统中。
  在电源管理领域,PMD3001D可用于同步降压或升压转换器中,作为高边和低边MOSFET的驱动器,提升转换效率并减少开关损耗。其快速响应能力和宽电压范围使其特别适用于便携式设备、笔记本电脑电源模块以及多电池供电系统。
  在电机控制方面,PMD3001D可以驱动H桥中的MOSFET,实现直流电机或步进电机的双向控制,适用于机器人、自动化设备以及电动工具等应用场景。
  此外,该器件也适用于工业自动化系统、电池管理系统(BMS)、LED照明驱动器以及太阳能逆变器等高可靠性要求的应用场景。
  由于其紧凑的封装和优异的热性能,PMD3001D也非常适合空间受限但需要高性能驱动能力的设计,例如无人机、智能家电和车载电子系统。

替代型号

PMD3002D, TC4427A, LM5101B, IRS2001

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PMD3001D参数

  • 晶体管极性:npn型/ PNP输出
  • 电压, Vceo:40V
  • 功耗, Pd:330mW
  • 集电极直流电流:1A
  • 直流电流增益 hFE:450
  • 工作温度范围:-65°C 到 +150°C
  • 封装类型:SSOT
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • SMD标号:9F
  • 功耗:330mW
  • 封装类型:SSOT-6
  • 总功率, Ptot:330mW
  • 最大连续电流, Ic:1A
  • 模块配置:
  • 电压, Vcbo:40V
  • 电流, Ic hFE:2A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:50
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电??, Vce sat 最大:80mV