PMA2-33LN-DG+ 时间：2025/9/16 15:06:02 阅读：6

PMA2-33LN-DG+ 是 Analog Devices（亚德诺半导体）公司生产的一款高性能射频/中频（RF/IF）放大器芯片。该器件设计用于工作在广泛的射频和中频应用中，提供高线性度、低噪声和优异的增益性能。PMA2-33LN-DG+ 采用先进的 GaAs（砷化镓）工艺制造，具有出色的稳定性和可靠性，适用于通信、测试设备、工业控制系统等多种高频应用领域。

参数

类型：射频/中频放大器
　　频率范围：20 MHz 至 4000 MHz
　　增益：典型值 19.5 dB @ 100 MHz
　　噪声系数：典型值 2.2 dB @ 100 MHz
　　输出IP3：典型值 +46 dBm @ 100 MHz
　　工作电压：+5V
　　工作电流：典型值 85 mA
　　封装类型：8引脚 TSSOP
　　温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C

特性

PMA2-33LN-DG+ 是一款高性能、低噪声、高线性度的射频/中频放大器，适用于多种高频信号处理场景。其频率范围覆盖了从 20 MHz 到 4000 MHz 的广泛频段，能够满足包括蜂窝通信、宽带无线、测试测量设备等多种应用的需求。该放大器在典型的 100 MHz 工作频率下，增益可达 19.5 dB，噪声系数仅为 2.2 dB，确保了信号的高质量传输。此外，其输出三阶交调截距（OIP3）高达 +46 dBm，表现出优异的线性度和抗干扰能力。
　　该芯片采用 +5V 单电源供电，工作电流典型值为 85 mA，功耗控制合理，适合用于对功耗有一定要求的系统中。封装形式为 8 引脚 TSSOP，便于 PCB 设计和布局，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。PMA2-33LN-DG+ 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，符合工业级标准，适用于各种严苛环境下的应用。
　　此放大器具有良好的输入输出匹配特性，通常在 50Ω 系统中工作，减少了外围匹配电路的复杂度。其高稳定性和宽频带特性使其在多种通信系统中作为前置放大器或中频放大器使用，如软件无线电（SDR）、频谱分析仪、无线基站、工业测试设备等。