类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK、D2PAK等

PM952A 的核心特性之一是其低导通电阻，这使得器件在导通状态下产生的功耗极低，从而显著提高电源系统的整体效率。此外，它具有较高的电流承受能力，可支持高达10A的连续漏极电流，适合中高功率应用场景。
　　该器件的封装形式多样，包括常见的 TO-220 和 D2PAK 等，便于在不同电路设计中使用，并具备良好的散热性能，确保长时间运行的稳定性。PM952A 还具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，从而减小外围元件的尺寸并提高系统的响应速度。
　　另一个显著优势是其高耐用性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定，例如高温或频繁开关操作的场景。其栅极驱动电压范围较宽（通常在4V至20V之间），便于与多种控制电路（如PWM控制器或微处理器）兼容，简化了设计流程。
　　此外，PM952A 在设计中考虑了保护功能，如过温保护和短路耐受能力，使其在实际应用中更加可靠。这些特性使其成为电源管理、马达控制、电池供电设备和负载开关等应用的理想选择。

PM952A 主要应用于以下领域：电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关；电动工具、无人机和电动车等电池供电设备中的功率控制；工业自动化设备中的马达驱动和继电器替代；消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理模块；通信设备中的稳压电源和高效率电源转换模块。

Si9410BDY, FDS6680, IRF3710, IPB013N04LG