时间：2025/8/12 10:56:20
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PM8029-0-140WLNSP-TR-05-0是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的高功率射频MOSFET晶体管，适用于高频、高功率应用，例如广播、无线基础设施和工业加热设备。该器件采用先进的碳化硅（SiC）技术，具有优异的热性能和高效率。
类型：射频MOSFET
技术：碳化硅（SiC）
最大漏源电压（Vds）：800V
最大漏极电流（Id）：29A
最大工作频率：140MHz
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至+150°C
热阻（Rth）：0.35°C/W
增益：>14dB
输出功率：1400W（典型值）
效率：>75%
PM8029-0-140WLNSP-TR-05-0具有优异的热导率和高温稳定性，使其在高功率应用中表现出色。该器件的碳化硅基材允许更高的工作温度和更高的功率密度，同时减少散热需求。此外，该MOSFET具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性，可提供高效率和出色的线性性能。其坚固的设计使其适用于恶劣环境，并提供长期可靠性。
该器件的另一个显著特点是其在高频下的高效性能，使其适用于高功率射频放大器设计。此外，PM8029-0-140WLNSP-TR-05-0还具备良好的抗过载能力和高稳定性，能够在极端工作条件下保持优异的性能。这使其成为广播发射机、工业加热设备和无线基础设施中的理想选择。
该MOSFET广泛用于射频功率放大器，如广播发射机（AM/FM）、无线基站、雷达系统、医疗射频设备以及工业加热和等离子体生成设备。它还可用于高功率开关电源和逆变器系统。
AM3210B250R0150V, CMF20120D, SCT2110KE
