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PM52AUBX060-301 发布时间 时间:2025/9/28 17:27:48 查看 阅读:12

PM52AUBX060-301是一款由Power Integrations公司生产的高度集成的离线式开关电源(SMPS)IC,专为低功耗、高效率的交流-直流电源转换应用而设计。该器件属于Power Integrations的InnoSwitch?3系列,采用先进的PowiGaN?技术,集成了高压GaNFET(氮化镓场效应晶体管),显著提升了开关频率和能效,同时减小了磁性元件的尺寸和整体电源体积。PM52AUBX060-301适用于消费类电子和工业类设备中的电源适配器、充电器、智能家居产品以及家电辅助电源等应用场景。
  该芯片采用紧凑的InSOP?-24D封装,具备出色的散热性能,并集成了次级侧同步整流控制器与初级侧PWM控制逻辑,通过高效的数字通信技术(FluxLink?)实现初级与次级之间的隔离式反馈控制,无需使用光耦器件,从而提高了系统可靠性并简化了PCB布局。此外,该器件内置全面的保护功能,包括过载保护、过压保护、过温保护以及自动恢复模式,确保在各种异常条件下仍能安全运行。

参数

型号:PM52AUBX060-301
  制造商:Power Integrations
  系列:InnoSwitch3-Pro
  拓扑结构:反激式(Flyback)
  输入电压范围:90 VAC 至 265 VAC(通用输入)
  输出功率:最高约60 W
  开关频率:典型值100 kHz
  集成FET类型:GaN(PowiGaN?)
  集成FET耐压:750 V
  控制器类型:初级侧PWM + 次级同步整流
  反馈机制:FluxLink? 数字磁感通信(无光耦)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:InSOP-24D
  保护功能:OVP, OCP, OTP, Auto-Restart
  符合标准:IEC 62368-1, ENERGY STAR, CoC Tier 2

特性

PM52AUBX060-301的核心优势在于其采用了PowiGaN?技术,将高性能氮化镓(GaN)功率开关集成于初级侧,相比传统硅基MOSFET,GaN器件具有更低的导通电阻和开关损耗,允许更高的开关频率运行,从而显著提升电源转换效率,尤其是在轻载和中等负载条件下表现出卓越的能效水平。这一特性使得该芯片非常适合用于需要满足严苛能效标准(如DoE Level VI、Energy Star)的应用场景。此外,高频操作减少了变压器和输出滤波元件的尺寸,有助于实现更小型化、更轻量化的电源设计。
  该芯片集成了完整的初级侧控制器与次级侧同步整流驱动器,通过FluxLink?技术实现跨越隔离屏障的高速、高可靠性通信,消除了传统光耦反馈路径带来的老化问题和响应延迟,增强了系统的长期稳定性和动态响应能力。这种架构不仅提升了瞬态负载响应性能,还支持精确的恒压(CV)与恒流(CC)调节,适用于对输出精度要求较高的充电和供电应用。
  PM52AUBX060-301还具备可编程性,支持通过I2C接口进行动态输出电压和电流调节,适用于多档位快充协议或智能电源管理系统。芯片内部集成了丰富的保护机制,包括逐周期电流限制、过温关断(带有迟滞)、输出过压保护及自动重启功能,在发生故障时能够有效防止损坏外部元件或负载设备。此外,其InSOP-24D封装优化了热性能和电气绝缘性能,满足加强绝缘要求,适用于医疗、工业等对安全性要求较高的场合。

应用

PM52AUBX060-301广泛应用于多种需要高效、高可靠性且空间受限的离线式电源系统中。典型应用包括智能手机、平板电脑和笔记本电脑的USB-C PD电源适配器,尤其适合支持宽范围输出电压(如3.3V至20V)的可调电源设计。此外,该器件也适用于智能家居设备电源,如智能音箱、路由器、网络摄像头等嵌入式电源模块,能够在保持高效率的同时减少发热和待机功耗。
  在工业领域,PM52AUBX060-301可用于工业传感器、PLC辅助电源、电机驱动控制板的小型化隔离电源设计。由于其具备良好的EMI性能和稳定的闭环控制,也可用于医疗设备中的辅助电源,满足IEC 60601-1等安全标准对爬电距离和绝缘等级的要求。另外,得益于其支持I2C通信和动态调节能力,该芯片还可用于构建具备智能监控和远程调节功能的数字电源系统,适用于数据中心服务器辅助电源、电信设备电源模块等高端应用场景。

替代型号

INN3266C

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