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PM50100K 发布时间 时间:2025/9/7 14:48:37 查看 阅读:35

PM50100K是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),通常用于高功率开关和电源管理应用。这款MOSFET具有高电流处理能力和低导通电阻的特点,使其在工业电源、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统中表现出色。PM50100K采用了先进的硅工艺技术,确保了在高频率开关条件下的稳定性和效率。其封装设计有助于散热,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):100A
  最大漏源电压(VDS):50V
  导通电阻(RDS(on)):约5mΩ(典型值)
  栅极电压范围:-20V至+20V
  最大功耗:约200W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-247或类似高功率封装

特性

PM50100K具有极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗,提高电源转换效率。其高电流处理能力使其能够在大功率应用中稳定运行。此外,该MOSFET具备优异的热稳定性,能够承受较高的工作温度,延长器件的使用寿命。PM50100K还具备快速开关特性,适用于高频开关电路,减少开关损耗。其栅极驱动电压范围较宽,便于与不同类型的驱动电路兼容。此外,该器件具有良好的抗雪崩能力,能够在极端工作条件下保持可靠性。

应用

PM50100K广泛应用于各种高功率电子设备中,包括工业电源、不间断电源(UPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及太阳能逆变器等。其高效率和高可靠性使其成为电力电子系统设计中的理想选择。在电动汽车和储能系统中,PM50100K也常用于功率控制和能量转换模块。

替代型号

IRF1405, STP100N55FZ, FDP100N50

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