时间：2025/9/7 14:48:37
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PM50100K是一款高性能的场效应晶体管（MOSFET），通常用于高功率开关和电源管理应用。这款MOSFET具有高电流处理能力和低导通电阻的特点，使其在工业电源、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统中表现出色。PM50100K采用了先进的硅工艺技术，确保了在高频率开关条件下的稳定性和效率。其封装设计有助于散热，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：50V
导通电阻（RDS(on)）：约5mΩ（典型值）
栅极电压范围：-20V至+20V
最大功耗：约200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247或类似高功率封装
PM50100K具有极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。其高电流处理能力使其能够在大功率应用中稳定运行。此外，该MOSFET具备优异的热稳定性，能够承受较高的工作温度，延长器件的使用寿命。PM50100K还具备快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗。其栅极驱动电压范围较宽，便于与不同类型的驱动电路兼容。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下保持可靠性。
PM50100K广泛应用于各种高功率电子设备中，包括工业电源、不间断电源（UPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等。其高效率和高可靠性使其成为电力电子系统设计中的理想选择。在电动汽车和储能系统中，PM50100K也常用于功率控制和能量转换模块。
IRF1405, STP100N55FZ, FDP100N50
