时间：2025/5/27 19:07:14
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SIHFR110TL-E3 是一款由半导体制造商生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种需要高性能功率开关的场景。其封装形式为 TO-220，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
这款 MOSFET 的设计使其能够在高频开关应用中提供出色的性能表现，并且在高温环境下依然能够保持良好的稳定性。
型号：SIHFR110TL-E3
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压 VDS：60V
最大栅源电压 VGS：±20V
最大漏极电流 ID：48A
导通电阻 RDS(on)：1.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
总功耗：175W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷 Qg：37nC（典型值）
开关时间：ton=19ns，toff=26ns（典型值）
SIHFR110TL-E3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，从而减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用。
3. 较高的电流承载能力，满足大功率需求。
4. 在较宽的工作温度范围内表现出优异的稳定性。
5. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，确保环保性能。
这些特性使 SIHFR110TL-E3 成为工业控制、汽车电子、通信电源等领域的理想选择。
该 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路，用于高效控制直流无刷电机或步进电机。
3. 太阳能逆变器及 UPS 系统中的功率转换模块。
4. 各种工业设备中的负载切换和保护电路。
5. 电动车充电设备中的功率管理组件。
由于其高效率和强健的性能，SIHFR110TL-E3 可以适应苛刻的工作环境。
IRFZ44N, STP55NF06L, FDP55N06L
