类型: N沟道MOSFET
　　最大漏极电流 (ID): 42A
　　最大漏源电压 (VDS): 680V
　　最大栅源电压 (VGS): ±30V
　　导通电阻 (RDS(on)): 0.22Ω
　　栅极电荷 (Qg): 93nC
　　工作温度范围: -55°C ~ +175°C
　　封装类型: TO-247

PM42S-680-RC 具备多个关键特性，使其在高功率电子系统中表现出色。
　　首先，该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)）为0.22Ω，这使得在导通状态下功率损耗最小化，提高了系统的整体效率。低RDS(on)也意味着在大电流下温升较小，提高了器件的可靠性和寿命。
　　其次，其最大漏源电压（VDS）为680V，支持在高压系统中稳定工作，例如开关电源、DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。此外，最大漏极电流可达42A，使其适用于高功率密度应用。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为93nC，这在高频开关应用中尤为重要。较低的Qg值可以减少开关损耗，从而提高开关频率并减小外部元件的尺寸。因此，PM42S-680-RC 非常适合用于高频电源转换器和逆变器中。
　　PM42S-680-RC 采用TO-247封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率条件下保持较低的工作温度。同时，其宽工作温度范围（-55°C ~ +175°C）确保在各种环境条件下都能稳定运行。
　　此外，该器件的栅源电压容限为±30V，使其在驱动电路设计中具备更高的灵活性，并减少因栅极电压波动而造成损坏的风险。

PM42S-680-RC 主要应用于需要高电压、高电流和高效率的功率电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可用于主开关或同步整流器，以提高效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，实现高效能的电压转换。
　　在电机驱动和逆变器应用中，PM42S-680-RC 可用于构建H桥电路，以控制电机的转向和速度。其高电流能力和快速开关特性使其成为工业自动化和电动汽车驱动系统中的理想选择。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源应用。在这些系统中，PM42S-680-RC 可用于功率开关、能量回收和负载切换等功能，确保系统稳定运行。
　　由于其高耐压和高电流能力，PM42S-680-RC 还可用于高频感应加热、电焊设备和工业电源等高压高功率设备中。

STP42NM60N, FQA40N60, IRFP460, FDPF4N60