BSS169N 时间：2025/8/11 19:30:34 阅读：26

BSS169N 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关速度，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　漏极电流（Id）：最大 200mA（连续）
　　栅源电压（Vgs）：最大 ±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约 3.5Ω（典型值）
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

BSS169N 的主要特性包括其低导通电阻，这使得在导通状态下的功率损耗较小，提高了整体效率。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高系统性能。
　　该器件的栅极驱动要求较低，通常在 4.5V 至 10V 范围内即可实现完全导通，这使得其能够与多种控制器和驱动电路兼容。
　　BSS169N 还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境。
　　此外，该器件的封装形式为 SOT-23，体积小巧，适合高密度 PCB 设计。

应用

BSS169N 常用于各种电源管理电路，如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。
　　由于其高效率和小尺寸，该器件也广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。
　　此外，BSS169N 还适用于工业控制系统、传感器电路和低功耗物联网（IoT）设备中的开关和控制应用。
　　在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车身控制模块、车载充电系统和 LED 照明驱动电路。
　　对于需要高效能和小型化的应用，BSS169N 是一个可靠的选择。