时间：2025/4/29 9:25:32
阅读：26
PM40100B1-FEI是一款基于硅技术的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和低导通损耗的场景。这款器件采用了先进的制造工艺，具备出色的开关特性和低导通电阻特性，适合于多种电力电子应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等。此外，该型号还具有高雪崩能量能力，确保在异常情况下能够安全工作。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：68nC
输入电容：2740pF
总功耗：125W
结温范围：-55℃至175℃
PM40100B1-FEI采用优化设计，以实现最低的Rds(on)值，从而降低传导损耗并提升整体效率。
该器件支持快速开关操作，并具备较低的Qg值，有助于减少开关损耗。
其坚固的雪崩能力和抗静电放电（ESD）性能，使它能够在恶劣环境下稳定运行。
同时，PM40100B1-FEI封装为TO-247，便于散热管理并适用于表面贴装或穿孔安装应用。
该MOSFET适用于广泛的工业及消费类应用领域，例如：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 高效DC-DC转换器。
3. 各种负载切换电路。
4. 电机驱动与控制。
5. 太阳能逆变器中的功率级组件。
6. 工业自动化设备中的功率开关模块。
PM40100B1-L, IRF7728, FDP16N10
