时间：2025/8/11 4:02:30
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JCS15N60FH 是一款由吉林华微电子股份有限公司（JLHMSE）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻、较高的热稳定性和优良的开关性能，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及各种功率电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：≤0.55Ω（典型值）
耗散功率（PD）：125W
工作温度范围：-55℃～150℃
封装形式：TO-220
JCS15N60FH MOSFET具有多项优异的电气和热性能。首先，其最大漏源电压（VDS）为600V，适合在高压环境下工作，如开关电源和整流电路中。其次，最大漏极电流为15A，使其能够承载中高功率负载，例如电机驱动和逆变器系统。该器件的导通电阻低至0.55Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
此外，JCS15N60FH采用了先进的平面工艺和高密度沟槽技术，确保了良好的热稳定性和较高的可靠性。其TO-220封装形式不仅便于散热，还支持标准的PCB安装方式，提高了设计的灵活性。该MOSFET的栅源电压范围为±30V，具有较强的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行。
JCS15N60FH MOSFET广泛应用于多种电力电子系统和设备中。它常用于开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，以提高能量转换效率。在电机驱动系统中，该器件可用于控制直流电机或步进电机的电流流动，提供高效的功率控制能力。
STP16NF60FD、IRFPC50、FQP15N60C、TK15A60D、SGT40N60
