型号：PM25RSB120
　　器件类型：P-Channel MOSFET
　　封装类型：SOT-23 (SC-59)
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-2.5A (TC=25°C)
　　脉冲漏极电流(IDM)：-8A
　　导通电阻(RDS(on))：65mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：85mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极阈值电压(VGS(th))：-0.8V ~ -1.5V
　　栅极电荷(Qg)：6nC @ VGS = -10V
　　输入电容(Ciss)：350pF @ VDS = 10V
　　输出电容(Coss)：120pF @ VDS = 10V
　　反向恢复时间(trr)：未内置体二极管快恢复
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +150°C

PM25RSB120 P沟道MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其最大RDS(on)在-4.5V栅压下仅为65mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率，尤其适用于电池供电设备中对能效要求较高的场景。在更低的逻辑电平驱动条件下（如-2.5V），其RDS(on)仍可维持在85mΩ以内，表明该器件能够兼容3.3V甚至1.8V的微控制器输出，无需额外的电平转换电路即可直接驱动，极大简化了系统设计复杂度并节省了PCB空间。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保了在不同工艺批次间的稳定性，并支持精确的开启/关断控制。较低的栅极电荷（Qg=6nC）意味着更少的驱动能量需求和更快的开关速度，有助于减少动态功耗和电磁干扰（EMI）。输入电容和输出电容分别仅为350pF和120pF，进一步提升了高频开关应用中的响应能力。由于其P沟道结构，在高边开关应用中可作为理想的负载开关使用，例如在电源路径管理、电池备份切换、LED背光控制等领域表现出色。
　　PM25RSB120的SOT-23封装不仅体积小巧（仅2.9mm x 1.6mm x 1.1mm），而且具有良好的散热性能，配合适当的PCB布局可有效传导热量。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对绿色环保的要求。其高可靠性经过严格测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和机械冲击等多项认证，确保在工业、消费类及汽车电子中的长期稳定运行。

PM25RSB120广泛应用于各类低电压、小电流的电源开关和控制电路中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电池供电管理，如智能手机和平板电脑中的电池接入控制、备用电源切换以及外设供电使能等。在这些系统中，该MOSFET常被用作高边开关，通过微控制器GPIO信号控制电源通断，实现节能待机或故障隔离功能。
　　此外，它也适用于各类负载开关电路，例如USB端口的过流保护、传感器模块的上电时序控制、LCD/OLED显示屏的背光电源管理等。由于其支持逻辑电平驱动，可直接由MCU或电源管理IC驱动，无需额外驱动器芯片，降低了系统成本和复杂性。
　　在工业自动化和物联网节点中，PM25RSB120可用于远程唤醒电路、无线模块（如Wi-Fi、BLE、LoRa）的电源门控，以延长设备续航时间。同时，其紧凑的SOT-23封装使其成为高密度PCB设计的理想选择，特别是在可穿戴设备、TWS耳机、智能手环等对空间极度敏感的产品中发挥重要作用。
　　该器件还可用于DC-DC转换器的同步整流部分（在特定拓扑中）、电机驱动中的低端开关或H桥电路的补充元件，尽管其主要优势体现在低功率开关领域。总之，任何需要高效、小型化、低功耗P沟道MOSFET的场合，PM25RSB120都是一个极具竞争力的选择。

SI2301-ADJ, DMG2301U, FDMC8202, AOD403, TSM201A