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CM200DU-12F 发布时间 时间:2025/9/29 20:02:52 查看 阅读:10

CM200DU-12F是一款由Powerex(现为Mitsubishi Electric Corporation旗下品牌)生产的高功率半导体模块,属于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块系列。该器件集成了两个反向并联的IGBT和快速恢复二极管,构成了一种典型的双单元(Dual)配置,适用于高效率、高频率的电力变换系统。CM200DU-12F广泛应用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、逆变焊机、感应加热以及可再生能源发电系统中的逆变器等场合。该模块采用先进的平面工艺和透明电极技术制造,具有低导通压降、高开关速度和良好的热稳定性等特点。其封装形式为大功率平板式(Press-Pack或Module Type),具备良好的散热性能和机械强度,适合在恶劣环境下长期运行。此外,CM200DU-12F内置了NTC温度传感器,便于实现过温保护与温度监控功能,提升了系统的安全性和可靠性。

参数

型号:CM200DU-12F
  器件类型:IGBT模块(双单元)
  额定集电极电流(IC):200A
  最大集电极-发射极电压(VCEO):1200V
  最大集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):约2.5V(在IC=200A, VGE=15V条件下)
  最大栅极-发射极电压(VGEM):±20V
  结温范围(Tj):-40°C 至 +150°C
  反向恢复时间(trr):典型值约 200ns
  热阻(Rth(j-c)):约 0.15°C/W(每个IGBT单元)
  封装类型:大功率模块(平板式)
  是否集成NTC:是

特性

CM200DU-12F的核心特性之一在于其双IGBT单元与反并联快速恢复二极管的集成设计,这种结构特别适用于桥式电路中的半桥拓扑应用。每个IGBT单元均可独立工作,支持灵活的电路布局与驱动控制。该模块采用了优化的场截止(Field-Stop)IGBT技术和超快软恢复二极管技术,显著降低了开关损耗与电磁干扰(EMI),提高了整体系统效率。其低VCE(sat)特性有助于减少导通期间的能量损耗,从而降低温升,延长使用寿命。
  另一个重要特性是其优异的热管理能力。由于采用平板式封装,CM200DU-12F可以直接安装于水冷或风冷散热器上,通过均匀的压力接触实现高效的热量传导。这种设计不仅提高了散热效率,还增强了模块在高温环境下的工作稳定性。同时,模块内部集成的NTC热敏电阻能够实时监测芯片结温,为控制系统提供温度反馈信号,实现精准的过温保护与动态功率调节。
  电气隔离方面,CM200DU-12F的底板通常为绝缘陶瓷基板(如Al2O3或Si3N4),确保了高耐压绝缘性能,可在高噪声工业环境中稳定运行。模块还具备较强的抗浪涌能力,能承受短时过载电流冲击,适用于电机启动、电焊等瞬态负载场景。此外,其引出端子设计合理,便于母线排连接,减少寄生电感,提升开关过程中的电压稳定性。整体而言,CM200DU-12F以其高功率密度、高可靠性和成熟的制造工艺,在中高压电力电子设备中占据重要地位。

应用

CM200DU-12F主要应用于需要高功率、高效率直流到交流或交流到直流转换的工业级电力电子设备中。最常见的应用领域包括中大型变频器,用于控制交流电动机的速度和转矩,广泛服务于冶金、矿山、化工、风机水泵等工业自动化系统。在不间断电源(UPS)系统中,该模块作为逆变器核心元件,负责将蓄电池直流电高效转化为纯净正弦波交流电,保障关键设备持续供电。
  在电焊机设备中,CM200DU-12F被用于逆变式弧焊电源,利用其高频开关能力实现紧凑化设计和精确电流控制,提升焊接质量与能效。此外,在感应加热装置中,该模块参与构成串联或并联谐振逆变电路,驱动高频交变电流通过感应线圈,实现对金属材料的快速加热处理,适用于淬火、熔炼、热锻等工艺。
  随着新能源技术的发展,CM200DU-12F也逐渐应用于太阳能光伏并网逆变器和小型风力发电变流器中,作为DC/AC转换的关键部件,帮助将可再生电能并入电网。同时,它还可用于电动汽车充电桩、储能系统双向变流器以及轨道交通辅助电源系统等新兴领域。得益于其高可靠性和宽泛的工作温度范围,该模块能够在复杂电磁环境和高温高湿条件下长期稳定运行,满足严苛工业标准。

替代型号

CM200DY-12H
  CM200DX-12T
  FF200R12KE3
  SKM200GB12T4

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CM200DU-12F参数

  • 标准包装2
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型沟道
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.2V @ 15V,200A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)54nF @ 10V
  • 功率 - 最大590W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 其它名称835-1081CM200DU-12F-ND