型号：PM25RKK120
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200 V
　　最大漏极电流（ID）：25 A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=15V：≤ 280 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 5.0 V
　　最大栅源电压（VGS）：±25 V
　　功耗（PD）：300 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　输入电容（Ciss）：典型值 1950 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 160 pF
　　反向恢复时间（trr）：未适用（无体二极管或极弱）
　　封装形式：TO-247

PM25RKK120的核心特性之一是其高达1200V的漏源击穿电压，使其能够在高压直流母线环境中安全运行，适用于工业级和可再生能源系统中的主开关元件。这一电压等级允许其在1000V以上的太阳能阵列系统中直接使用，无需额外的电压钳位或串联器件，从而简化系统架构并提升可靠性。该器件采用了优化的元胞设计和场板终端技术，有效降低了电场集中效应，提高了边缘击穿电压，增强了器件在持续高压应力下的稳定性。此外，其较低的导通电阻（RDS(on) ≤ 280 mΩ）在同类高压MOSFET中处于领先水平，显著减少了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统效率并降低散热需求。
　　另一个关键特性是其卓越的开关性能。PM25RKK120具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，同时减少了开关过程中的电压和电流重叠时间，从而大幅降低开关损耗。这对于工作频率在几十kHz至数百kHz之间的硬开关拓扑（如Boost、Buck、Half-Bridge和Full-Bridge）尤为重要。低Qg也意味着可以使用更小的栅极驱动器，进一步缩小整体电源系统的体积和成本。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在非钳位电感开关测试（UIS）中承受一定的能量冲击，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　在热管理方面，TO-247封装提供了优异的热传导路径，结合芯片内部的均匀电流分布设计，使得PM25RKK120在高负载条件下仍能保持较低的结温上升。其最大功耗可达300W，在配备适当散热器的情况下可持续工作于高温环境。器件还具备良好的抗dv/dt和di/dt能力，减少了误触发的风险，提高了系统稳定性。所有这些特性共同使PM25RKK120成为高压功率转换领域中一款高性能、高可靠性的理想选择。

PM25RKK120广泛应用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括工业开关电源（SMPS），特别是在大功率AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关管使用，适用于服务器电源、通信基站电源和工业自动化设备的供电模块。在可再生能源领域，该器件被用于光伏（PV）逆变器的直流斩波级或旁路开关，能够高效处理来自太阳能电池板的高压直流输入，并实现最大功率点跟踪（MPPT）控制。此外，在风力发电系统中，PM25RKK120可用于直流链路开关或整流后级调节，保障系统在波动风速下的稳定运行。
　　在电动汽车基础设施方面，PM25RKK120适用于直流快速充电桩（EV Charger）中的功率因数校正（PFC）级或DC-DC升压模块，其1200V耐压能力正好匹配400V或800V电池系统的绝缘要求。在工业电机驱动系统中，该器件可用于中小功率变频器的逆变桥臂，尤其是在需要宽输入电压范围或软开关拓扑的场合表现优异。此外，它还可用于不间断电源（UPS）系统、储能系统（ESS）的能量转换接口以及感应加热设备中的高频开关单元。由于其高耐压和高效率特性，PM25RKK120也适用于特种电源，如激光电源、X射线发生器和电弧焊机等高能脉冲应用。总之，凡是在高压、高功率密度和高效率之间需要平衡的设计场景，PM25RKK120都能提供可靠的技术支持和性能保障。

IXFH25N120P3
　　STGF25NC120D1
　　FGL25N120FTFU
　　HGTG25N120D3