时间：2025/11/8 0:14:03
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RB055LAM-30TR是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），采用紧凑型表面贴装封装（SOD-123W），适用于需要高效、低功耗整流功能的便携式电子设备和电源管理系统。该器件结合了肖特基二极管的低正向压降与快速开关特性，能够在高频工作条件下显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其额定平均正向整流电流为500mA，最大反向重复峰值电压为30V，适合用于低压直流电路中的续流、防反接、电源OR-ing以及AC-DC/DC-DC转换器等应用场景。由于采用了先进的芯片制造工艺和高可靠性封装技术，RB055LAM-30TR具备良好的热稳定性和长期工作可靠性，符合工业级温度范围要求，并满足无铅（Pb-free）和RoHS环保标准，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、笔记本电脑外围电路及电池供电系统中。
型号：RB055LAM-30TR
类型：肖特基势垒二极管
封装/包装：SOD-123W
极性：单二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
最大直流反向电压（VR）：30V
最大平均正向整流电流（IF(AV)）：500mA
峰值正向浪涌电流（IFSM）：1A
最大正向电压（VF）：550mV @ 500mA, 25°C
最大反向电流（IR）：100μA @ 30V, 25°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
热阻抗（RθJA）：250°C/W
安装类型：表面贴装
RB055LAM-30TR的核心优势在于其低正向导通压降特性，在典型工作条件下（IF = 500mA，TC = 25°C），最大正向电压仅为550mV，远低于传统PN结二极管（通常在700mV以上）。这一特性使得器件在持续导通状态下产生的功率损耗显著降低，从而减少发热并提升电源转换效率，特别适用于对能效敏感的应用场景，如移动设备的电池管理回路或同步整流辅助电路。此外，得益于肖特基势垒结构的设计原理，该二极管具有极快的反向恢复时间（trr < 10ns），几乎不存在少数载流子储存效应，因此在高频开关环境中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，有效抑制电磁干扰（EMI）并避免因换流过程引起的额外功耗。
该器件还具备出色的温度稳定性，其电气参数在宽温度范围内保持一致性。例如，随着结温升高，虽然正向压降会略有下降（负温度系数），但反向漏电流则呈指数增长趋势；为此，ROHM通过优化金属-半导体接触界面和引入钝化层工艺，有效控制高温下的漏电水平，确保在+125°C甚至更高结温下仍可安全运行。RB055LAM-30TR采用SOD-123W小型化塑料封装，外形尺寸紧凑（约2.7mm × 1.8mm × 1.1mm），非常适合空间受限的高密度PCB布局设计。该封装具有良好的散热性能和机械强度，支持回流焊工艺，便于自动化贴片生产。同时，产品符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准的部分项目，表明其在恶劣环境下的耐久性较强，可用于部分车载电子模块。所有材料均符合RoHS指令和无卤素要求，满足现代绿色电子产品的环保规范。
RB055LAM-30TR广泛应用于多种低压、高效率电源电路中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，尤其是在DC-DC降压变换器中作为续流二极管使用，利用其低VF和快速恢复特性来提高转换效率并减少热量积累。它也常被用于电池充电管理电路中，防止电流倒灌至电源端，保护主控IC不受反向电压损害。在多电源输入系统中，该器件可用于实现“电源OR-ing”功能，即当系统支持USB和适配器双输入时，自动选择电压较高的电源路径进行供电，避免交叉导通。此外，由于其响应速度快且噪声低，RB055LAM-30TR也被用于信号整流、ESD保护辅助电路以及隔离反馈环路中的钳位元件。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等设备中，该二极管因其小尺寸和高性能而成为理想的板级保护与功率管理组件。工业控制单元、传感器模块、LED驱动电源以及便携式医疗仪器中也能见到其身影。值得一提的是，尽管其电流承载能力有限，不适合大功率应用，但在轻负载、高频工作的场合下，其综合性能优于多数通用整流二极管。
RB055LAM-30
