时间：2025/7/16 18:08:43
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PM15CZF120是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET器件，属于高电压、大电流的N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高性能电源管理应用，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器以及电机控制等场景。PM15CZF120采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）@25°C：15A
连续漏极电流（ID）@100°C：9.6A
最大功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
PM15CZF120的主要特性之一是其出色的热稳定性和高可靠性。它具备极低的导通电阻，典型值为0.4Ω，这使得在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。此外，该器件具有快速的开关性能，适合高频操作环境，有助于提高电源系统的整体效率。
这款MOSFET还具有良好的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。同时，其封装形式为TO-247，便于散热和安装，并且能够适应多种电路布局需求。
此外，PM15CZF120内置了静电放电（ESD）保护功能，提升了器件在运输和使用过程中的抗干扰能力。这一特性对于工业自动化设备和电力电子装置尤为重要。
PM15CZF120广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。例如，在太阳能逆变器中，该器件可以作为主开关元件，实现高效的能量转换；在电动车辆的充电模块中，PM15CZF120能够提供稳定的电流控制；在工业电机驱动器中，它可以用来调节电机速度和扭矩。
此外，PM15CZF120也非常适用于各种类型的开关电源（SMPS），包括适配器、服务器电源和LED照明驱动器。由于其优异的热管理和低导通损耗特性，该MOSFET还能用于高压负载开关、不间断电源（UPS）系统以及智能电网相关设备。
值得一提的是，PM15CZF120还可以与微控制器配合使用，在数字电源管理系统中发挥重要作用。
IXFH15N120, IRGPC40K, FGL40N120FD
