类型：双路N沟道MOSFET半桥模块
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：15A（连续）
　　峰值漏极电流（IDM）：45A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值60mΩ（每通道，@VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大栅源电压（VGSM）：±20V
　　功耗（PD）：150W（带散热条件）
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　开关时间：ton ≈ 35ns，toff ≈ 65ns（典型值，测试条件依数据手册）
　　输入电容（Ciss）：约2800pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：≤ 50ns（体二极管）
　　隔离电压：≥ 2500Vrms / 分钟（绝缘基板）
　　封装形式：DIP-27L 或类似功率模块封装

PM15CTM060的核心特性之一是其高度集成的半桥拓扑结构，包含两个独立的N沟道MOSFET，每个MOSFET均具备低导通电阻和优异的开关性能。这种设计使得该模块特别适用于需要高效能量转换的应用场景。其低RDS(on)特性有效降低了导通期间的功率损耗，提高了整体系统效率，尤其在大电流工作条件下表现突出。同时，器件具有较低的栅极驱动电荷（Qg），这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率更小，有助于降低控制器负担并减少电磁干扰（EMI）。
　　另一个重要特性是其内置的快速恢复体二极管，能够在感性负载关断时提供续流路径，避免电压尖峰损坏器件。该二极管具有较短的反向恢复时间（trr），减少了反向恢复过程中的能量损耗和噪声产生，提升了系统的动态响应能力和稳定性。此外，模块内部集成了NTC（负温度系数）热敏电阻，可实时监测芯片结温，便于外部控制电路实施温度保护策略，如降频、限流或关机操作，防止因过热导致的永久性损坏。
　　该模块采用陶瓷基板和金属底板结构，提供了优良的热传导性能，允许通过外部散热器将热量迅速散发，从而维持较低的工作温度。其电气隔离设计符合国际安全标准，支持高达2500Vrms的绝缘耐压，适用于交流电网连接设备中的隔离需求。此外，PM15CTM060经过严格的老化测试和可靠性验证，具备出色的抗冲击能力和长期运行稳定性，适合部署在恶劣工业环境中。其引脚布局优化，便于PCB布线和散热安装，进一步提升了系统设计的灵活性与可维护性。

PM15CTM060广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。在开关电源领域，它常用于PFC（功率因数校正）电路和主变换器级，特别是在服务器电源、通信电源和工业电源中，因其高效率和高可靠性而受到青睐。在电机驱动方面，该模块可用于家用电器（如变频空调、洗衣机）中的压缩机或风扇电机驱动，实现精确的速度控制和节能运行。其半桥结构非常适合构建谐振变换器（如LLC拓扑）和全桥/半桥逆变器，因此在太阳能光伏逆变器和UPS不间断电源系统中也有广泛应用。
　　此外，PM15CTM060还可用于感应加热设备、LED恒流驱动电源和电焊机等高功率密度设备中。在这些应用中，器件的快速开关能力和低损耗特性有助于提升系统整体能效，并满足日益严格的能效标准（如Energy Star、ERP Tier 2等）。由于其具备内置温度传感功能，也适合用于需要智能热管理的闭环控制系统中，实现自动调功和故障预警功能。在工业自动化领域，该模块可用于PLC输出模块、伺服驱动器和变频器中，作为核心功率开关元件，承担频繁启停和大电流切换任务。其坚固的封装结构和高隔离电压能力也使其适用于医疗设备和轨道交通等对安全性要求极高的场合。

[
　　 "SPM15CTM060",
　　 "PM20CTM060",
　　 "FSBB15CH60C",
　　 "STGP15NC60KD"
　　]