时间：2025/9/14 9:29:01
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PDTD123EUX 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该器件专为高频率、低噪声和高增益应用而设计，适用于 RF（射频）和 IF（中频）放大器、混频器以及开关电路等场合。PDTD123EUX 采用 SC-74（SOT-23-5）封装，具有小尺寸和良好的热稳定性，适合在空间受限的电路中使用。这款晶体管广泛应用于消费类电子产品、工业控制和通信设备中。
类型：NPN 双极型晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
集电极-基极电压（VCBO）：50V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SC-74（SOT-23-5）
电流增益（hFE）：最小 110（@ IC=2mA, VCE=5V）
频率响应（fT）：250MHz（典型值）
PDTD123EUX 晶体管具有多项优良特性，使其在多种电子电路中表现出色。
首先，该晶体管具有较高的频率响应，典型 fT 值为 250MHz，使其适用于射频和中频放大器等高频应用。这使得它在无线通信、FM 接收器和 RF 混频器中具有良好的性能表现。
其次，PDTD123EUX 的电流增益 hFE 在典型工作条件下可达 110 以上，保证了其在放大电路中的稳定性与效率。高增益特性使其在前置放大器和低噪声放大电路中表现优异，有助于提升信号的清晰度和传输质量。
此外，该晶体管采用 SOT-23-5 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的散热性能。这种封装形式也提高了其在自动化装配过程中的兼容性。
其最大集电极电流为 100mA，适用于中低功率的开关和放大应用。在功耗方面，PDTD123EUX 的最大功耗为 200mW，确保其在常规工作条件下不会因过热而损坏，具有较长的使用寿命和稳定性。
最后，PDTD123EUX 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种恶劣环境，包括高温和低温条件下的工业和消费类应用。
PDTD123EUX 主要用于高频放大器、低噪声放大器（LNA）、RF 混频器、IF 放大器、模拟开关电路、音频前置放大器以及各种便携式电子设备中的信号处理电路。
在通信设备中，PDTD123EUX 常用于无线接收模块的前端放大器，以提高信号的灵敏度和稳定性。其高增益和低噪声特性使其在 FM/AM 收音机、蓝牙模块和 Wi-Fi 接收器中广泛使用。
在工业控制和传感器系统中，该晶体管可用于信号调理电路、电压比较器和驱动继电器等应用场景。
此外，PDTD123EUX 还可用于音频放大器的前置级，提供高质量的音频信号放大，适用于耳机放大器、麦克风前置放大器等音频设备。
由于其封装小巧，PDTD123EUX 也常用于手机、平板电脑、智能穿戴设备等便携式电子产品中，实现高效、低功耗的电路设计。
BC847B, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A
