类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：180V
　　最大漏极电流（Id）：105A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为12mΩ
　　最大功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V 至 4.5V
　　漏极-源极击穿电压（BVdss）：180V
　　输入电容（Ciss）：约2500pF
　　输出电容（Coss）：约500pF
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复型

PM105-180M-RC的主要特性包括其优异的高频性能和高效的功率处理能力。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，使得导通电阻更低，从而减少了导通损耗。此外，PM105-180M-RC的封装设计优化了热性能，确保在高功率应用中仍能保持良好的散热效果。其高雪崩能量耐受能力保证了在极端工作条件下的可靠性。该MOSFET的快速开关特性减少了开关损耗，提高了系统效率，适用于高频开关应用。此外，该器件的栅极驱动要求较低，能够与多种驱动电路兼容，简化了设计过程。
　　在高频应用中，PM105-180M-RC表现出色。其低寄生电容和快速恢复二极管特性使得在高频下仍能保持稳定的性能，适用于无线通信基站、高频电源转换器和工业RF加热设备等应用。该器件的封装形式为TO-247，便于安装和散热，适用于高功率密度设计。此外，PM105-180M-RC具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间稳定运行。

PM105-180M-RC主要应用于高频功率放大器、无线通信基站的RF功率模块、高频DC-DC转换器、工业加热设备、感应加热系统以及高效率电源供应器。该器件也常用于电机控制、逆变器和UPS（不间断电源）系统中，提供高效的功率转换能力。此外，PM105-180M-RC还可用于雷达系统、测试设备和高频焊接设备等高功率电子系统中。

IXFH100N180P, STP105N180Z, FDP105N180S