类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：共阴极
　　反向重复电压（VRRM）：45V
　　平均整流电流（IO）：40A
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：150A
　　正向电压降（VF）：典型值0.52V（在20A, 150°C）
　　最大反向漏电流（IR）：小于400μA（在150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻结至外壳（RθJC）：约1.0°C/W
　　封装形式：TO-277（DPAK）
　　安装方式：表面贴装

SBR40U45CT的核心优势在于其卓越的低正向压降性能，这直接提升了电源系统的转换效率，减少了能量损耗和热量产生。在典型工作条件下，当通过20A电流时，其正向电压仅为0.52V左右，显著低于传统硅整流二极管的0.7V以上水平。这一特性对于高电流密度的应用至关重要，尤其是在数据中心服务器电源或高频DC-DC变换器中，能够有效降低系统温升，延长其他元器件的使用寿命。
　　另一个关键特性是其优异的热管理能力。得益于TO-277封装底部的大面积铜焊盘设计，该器件可以高效地将热量传导至PCB上的散热层，实现良好的自然冷却效果。其结到外壳的热阻约为1.0°C/W，使得即使在满载持续运行状态下也能维持较低的工作温度，从而提高了长期工作的可靠性。
　　此外，SBR40U45CT具备出色的动态响应能力和抗浪涌电流能力，可承受高达150A的峰值脉冲电流，适合应对启动瞬间或负载突变带来的电流冲击。其反向漏电流控制得非常出色，在150°C高温下仍不超过400μA，表明其在高温环境中具有稳定的阻断能力，避免了不必要的功耗增加。
　　该器件还具备良好的EMI性能，由于其非雪崩击穿机制和快速恢复特性，几乎不产生反向恢复电荷（Qrr接近零），因此不会引发严重的电磁干扰问题，有利于简化滤波电路设计，提升整个电源系统的电磁兼容性。这些综合特性使其成为现代高效、小型化电源模块不可或缺的关键元件。

SBR40U45CT主要应用于各类高效率开关电源系统中，特别是在低压大电流输出场景下表现出色。它常被用作同步整流器的替代方案或辅助整流元件，广泛部署于服务器电源、网络通信设备电源模块、基站供电单元以及工业自动化控制电源中。在这些应用中，输入电压通常较低（如12V或更低），而输出电流需求较大，因此要求整流器件具有极低的导通损耗以提升整体能效。
　　该器件也适用于DC-DC降压转换器的次级侧整流环节，尤其是在多相交错并联架构中，多个SBR40U45CT可并联使用以分担电流，提升系统冗余度与散热均匀性。此外，由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化贴片生产流程，便于实现高密度PCB布局，广泛用于追求小型化与高集成度的嵌入式电源设计。
　　在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电池管理系统（BMS）中，SBR40U45CT也可作为防反接或隔离二极管使用，利用其低VF特性减少能量浪费。同时，其宽泛的工作温度范围使其能在恶劣工业环境或户外设备中稳定运行。
　　值得一提的是，随着氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体器件的发展，传统硅基肖特基二极管依然在45V以下低压领域保持竞争力，SBR40U45CT正是这一细分市场的代表性产品，凭借成熟工艺与成本优势，在消费类高端电源、医疗电子电源等领域也有广泛应用前景。

SBRT40U45SP5