时间：2025/4/3 9:38:58
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PM100CG1B120 是一款基于硅技术的高压功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用 TO-220 封装形式，具有低导通电阻和高耐压能力，适用于各种电源转换电路，如 DC-DC 转换器、逆变器和开关电源等。其优化的栅极电荷性能使其能够高效工作在高频条件下，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：10A
导通电阻：2.5Ω
栅极电荷：80nC
总电容：30pF
工作温度范围：-55℃至175℃
主要特性包括高击穿电压（1200V），这使得它能够在极端条件下保持稳定运行。此外，该器件的低导通电阻（2.5Ω）有助于减少导通损耗，从而提高整体效率。其优化的栅极驱动特性和快速开关能力使 PM100CG1B120 成为高频应用的理想选择。
另外，PM100CG1B120 采用了先进的封装技术，增强了散热性能，并提供了出色的电气隔离能力。器件的动态性能经过精心设计，可最大限度地降低开关损耗并确保系统稳定性。此外，它还具有较强的抗 ESD 能力，进一步提升了其在恶劣环境中的可靠性。
- 开关模式电源（SMPS）
- 电机驱动与控制
- 太阳能逆变器
- 高频 DC-DC 转换器
- 电子负载及测试设备
- 工业电源模块
由于其卓越的电气性能和可靠性，PM100CG1B120 在工业、汽车和消费类电子产品中都得到了广泛应用。
IRFP460, STP10NM120, FDP18N120A
