PM-T45是一款高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低能耗并提高系统性能。
PM-T45支持高频开关操作,适合需要高效能和高可靠性的应用场景。其封装形式通常为TO-220或DPAK,便于散热管理和电路设计。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压:45V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:20A
导通电阻:1.5mΩ(典型值)
栅极电荷:35nC
开关时间:ton=15ns, toff=18ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
PM-T45具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗。
2. 高速开关能力,适用于高频应用。
3. 强大的雪崩能力,增强器件的耐用性和可靠性。
4. 内置反向恢复二极管,优化了续流路径性能。
5. 良好的热稳定性和低热阻设计,确保在高功耗条件下正常运行。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅。
PM-T45适用于多种电力电子设备:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 电机控制和驱动电路中的功率级组件。
3. DC-DC转换器和升压/降压电路中的开关器件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节模块。
6. 汽车电子系统中的大电流开关和保护电路。
IRFZ44N, FQP50N06L, STP20NF06