时间：2025/9/11 16:50:45
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KF5N25D 是一款由Kexin Electronics（科信电子）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等应用。该器件采用TO-251封装，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于中高功率场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：250V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：≤0.8Ω
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
KF5N25D MOSFET采用先进的平面技术制造，具备优良的导通和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的+10V至+15V驱动电压，便于与各类驱动电路兼容。
此外，KF5N25D具备较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-251封装设计具有良好的散热性能，适用于高功率密度电路。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，提高了在电压突变环境下的可靠性。
在封装方面，TO-251属于中等功率封装形式，适合表面贴装（SMT）工艺，提高了组装效率。KF5N25D还具有良好的抗干扰能力，适用于工业控制、电源管理、照明驱动等多种应用场景。
KF5N25D主要应用于各类电源管理系统，如AC-DC开关电源、DC-DC转换器、电池充电器、LED驱动电源等。此外，该器件也广泛用于电机控制、继电器驱动、逆变器、UPS不间断电源以及家用电器中的功率控制模块。其优良的导通特性和良好的热稳定性，使其在高性能电源设计中具有较高的性价比。
IRF540N, 2SK2647, FDPF5N25, STP5NK25Z
