时间：2025/6/23 21:23:59
阅读：3
CDR34BP272BFZRAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺以确保高效率和低导通电阻。该器件专为需要高电流处理能力和快速开关速度的应用而设计，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及各类工业电子设备中。
该器件具有出色的热性能和电气特性，能够显著降低功耗并提升系统效率。同时，其封装设计优化了散热能力，使其在高温环境下依然能保持稳定运行。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：150V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：58A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
总栅极电荷(Qg)：95nC
输入电容(Ciss)：3360pF
反向恢复时间(trr)：48ns
工作结温范围：-55℃ to +175R34BP272BFZRAT具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻(Rds(on))，能够在高电流应用中有效减少功率损耗。
2. 高速开关性能，具备较低的栅极电荷(Qg)和反向恢复时间(trr)，有助于提高系统效率。
3. 大漏极电流处理能力，适合高功率密度的设计需求。
4. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境下的应用。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 封装设计紧凑，便于集成到小型化产品中。
这款功率MOSFET适用于多种电力电子应用领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统(BMS)。
6. 可再生能源系统中的逆变器模块。
CDR34BP272BFRAT, CDR34BP272BFZRA
