时间：2025/4/29 8:48:06
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PLT133/T10W 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的功率晶体管，专为高频开关应用而设计。其出色的开关性能和高效率使其成为电源转换、DC-DC 转换器和通信设备的理想选择。该型号采用表面贴装封装形式，能够有效降低寄生电感，提升整体系统性能。
该器件能够在高达 650V 的电压下工作，并支持大电流输出，同时具备低导通电阻的特点，从而减少功率损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：10A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：无（因 GaN 技术特性）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 基于先进的氮化镓（GaN）技术，提供卓越的开关速度和效率。
2. 高击穿电压（650V），适合多种高压应用场景。
3. 极低的导通电阻（120mΩ），有助于降低传导损耗。
4. 小型化封装设计，适用于空间受限的应用环境。
5. 出色的热稳定性，在高温环境下依然保持高效性能。
6. 内置 ESD 保护功能，增强可靠性。
7. 支持高频开关操作，简化磁性元件设计并降低系统成本。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 工业用 DC-DC 转换器。
3. 通信基站的功率放大器和供电单元。
4. 光伏逆变器中的高频开关元件。
5. 电动汽车车载充电器和电池管理系统。
6. 快速充电器和适配器解决方案。
7. 电机驱动和工业自动化控制电路。
PLT132/G10W, PLT134/T12W
