时间：2025/8/5 18:55:39
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IXBH14N250A是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，专为高电压和高电流应用设计。这款晶体管采用TO-264封装，适用于各种工业和电力电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：14A
最大漏极电压：250V
导通电阻：0.32Ω
功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-264
IXBH14N250A具有低导通电阻，确保在高电流应用中实现最小的功率损耗。其高击穿电压特性使其能够在高电压环境下稳定运行。此外，该晶体管具有快速开关特性，适用于高频应用。其封装设计提供了良好的散热性能，适合在高功率应用中使用。
该器件还具有优异的热稳定性和可靠性，适用于需要长时间运行的工业设备。其设计确保了在高温环境下依然能够保持稳定的性能。此外，IXBH14N250A具备高电流承受能力和过载保护功能，使其在各种严苛的工作条件下依然能够安全运行。
IXBH14N250A广泛应用于电源转换器、电动机控制、工业自动化设备以及高功率开关电源等场合。其高电压和高电流特性也使其在电动汽车充电设备和太阳能逆变器中得到广泛应用。此外，该晶体管还适用于UPS（不间断电源）系统和各种类型的电力调节设备。
IXFH14N250P, IXTH14N250A
