时间：2025/6/24 7:26:38
阅读：2
CL31C221JCCNNNC 是一款由 ON Semiconductor 生产的双 NMOS 场效应晶体管（Dual N-Channel MOSFET），主要用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，能够在较低的电压下提供出色的性能，适用于电源管理、负载开关、电机驱动等应用领域。
其封装形式为 SOIC-8 小外形集成电路，具有良好的热性能和电气特性，适合在紧凑型设计中使用。
型号：CL31C221JCCNNNC
类型：双 NMOS 场效应晶体管
Vds（最大漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：典型值 65mΩ @ Vgs=10V
Ids（连续漏极电流）：4.9A
Vgs（栅源电压）：±20V
功耗：1W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOIC-8
CL31C221JCCNNNC 具有以下显著特性：
1. 高效的导通性能，其导通电阻 Rds(on) 在典型条件下仅为 65mΩ，能够有效降低功率损耗。
2. 支持较高的连续漏极电流 Ids，高达 4.9A，使其适合多种大电流应用场景。
3. 工作电压范围广，最高支持 30V 的漏源电压，同时具备 ±20V 的栅源电压能力，提高了电路设计的灵活性。
4. 宽温工作范围，能够在 -55°C 至 +150°C 的极端环境下稳定运行。
5. 封装小巧，采用 SOIC-8 封装，便于 PCB 布局和散热设计。
CL31C221JCCNNNC 广泛应用于以下领域：
1. 电源管理模块中的负载开关和保护电路。
2. 消费类电子产品中的电机控制和驱动。
3. 电池管理系统中的充放电控制。
4. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流。
5. 工业自动化设备中的信号切换和功率调节。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式，该器件非常适合对空间和能效要求较高的应用环境。
CL31C221JCN, CL31C221KCCNNNC
