类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：135A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

PLR135-T8 具备多项优异的电气和热性能特点。首先，其导通电阻非常低，仅为 5.5mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。在高电流应用中，低 RDS(on) 可显著减少发热，提高可靠性。
　　其次，该 MOSFET 能够承受高达 100V 的漏源电压和 135A 的连续漏极电流，非常适合用于高功率密度设计。其 TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热能力，还方便在 PCB 上安装和散热器连接。
　　此外，PLR135-T8 在栅极驱动方面具有较强的兼容性，其栅源电压范围为 ±20V，允许使用标准的 10V 或 12V 驱动电路，同时具备一定的抗过压能力，增强了使用的灵活性和安全性。
　　该器件还具备快速开关特性，能够实现较高的开关频率，适用于如 DC-DC 转换器、电机驱动器和 UPS 系统等高频应用场合。同时，其良好的热稳定性确保在高温环境下仍能稳定运行。

PLR135-T8 广泛应用于多种高功率电子系统中。常见用途包括工业电源、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊设备以及电动车电驱系统等。
　　在工业自动化领域，该 MOSFET 常用于伺服驱动器和变频器中的功率开关元件，以实现高效的能量转换和精确的控制。
　　在新能源领域，PLR135-T8 被广泛应用于太阳能逆变器和储能系统中，作为关键的功率开关器件，负责将直流电转换为交流电输出。
　　此外，该器件也可用于高性能 DC-DC 转换器和同步整流电路中，以提升整体能效和减小系统体积。

IRF1405, SiHF135N10, IPW90R150P7S