时间：2025/8/6 2:08:48
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IXGT30N60C2 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极晶体管），适用于高电压和高电流应用。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性，广泛用于工业电机控制、电源转换和逆变器系统。
类型：N 沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压：600V
最大集电极电流：30A
导通压降：典型值 2.15V（在 IC=30A）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
短路耐受能力：有
栅极驱动电压：±20V
IXGT30N60C2 具备出色的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下可靠运行。其先进的沟道设计优化了开关损耗，减少了能量损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，可以在极端工况下保护自身免受损坏。该 IGBT 的封装设计支持快速散热，适用于需要高可靠性和高性能的工业应用。
该器件的动态性能经过优化，具备较低的开关损耗，同时在导通状态下具有较低的饱和压降，从而减少了整体功耗。其栅极驱动特性允许使用标准的 MOSFET 驱动电路，简化了设计和应用过程。IXGT30N60C2 还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态条件下的鲁棒性。
IXGT30N60C2 常用于各种电力电子系统，如变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器和电焊设备。它适用于需要高电压和高电流处理能力的功率转换应用，特别适合对效率和可靠性要求较高的工业设备。
IXGT30N60C2D2，IXGH30N60C3D1，IXGN30N60C2D1
