电容值：470pF
　　电容公差：±20%
　　额定电压：16V DC
　　介质材料：X7R（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：±15%（在全温度范围内）
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　端接类型：镍阻挡层 / 锡铅可焊涂层（Ni/Sn）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　老化率：≤2.5% 每 decade（对于 X7R 材料）
　　绝缘电阻：≥4000 MΩ·μF 或 ≥500 MΩ（取较大值）
　　耐湿性：符合 IEC 60384-14 和 AEC-Q200 标准要求
　　ESR（等效串联电阻）：低至数毫欧级别（具体取决于频率）
　　自谐振频率（SRF）：百MHz级别，适配高频应用环境

PLG1C471MDO1 多层陶瓷电容器具备优异的电学稳定性与机械可靠性，特别适合在复杂电磁环境中长期运行。其采用 X7R 类型陶瓷介质，在 -55°C 到 +125°C 的宽温范围内能够保持 ±15% 的电容变化率，确保了在不同工作条件下的性能一致性。这种材料相较于 Z5U 或 Y5V 具有更高的稳定性，虽然不如 C0G/NP0 精确，但在成本与性能之间实现了良好平衡，因此被广泛用于去耦和滤波电路。
　　该器件的结构由多个交错堆叠的陶瓷层与内部电极构成，通过共烧工艺形成一体化的多层结构，从而实现高电容密度与小型化设计。0805 封装尺寸使其既便于自动化贴片生产，又能在有限空间内提供足够的电气性能支持。此外，其端子采用镍阻挡层加锡铅涂层的设计，有效防止银迁移现象，提高了在潮湿、高温等恶劣环境下的长期可靠性。
　　PLG1C471MDO1 具备较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使其在高频去耦应用中表现优异，能快速响应电源波动，抑制噪声传播。同时，其较高的自谐振频率（SRF）允许其在数百 MHz 范围内仍保持有效的电容行为，避免因感性转变导致滤波失效。
　　此电容器符合 RoHS 指令要求（若为无铅版本则需确认型号后缀），并满足 IEC、EIA 及 AEC-Q200 等国际标准，适用于汽车电子、工业控制系统及电信基础设施等领域。制造过程中严格执行质量控制流程，确保批次一致性与高良品率，是现代高集成度电子系统中不可或缺的基础元件之一。

PLG1C471MDO1 主要应用于需要稳定电容特性和良好温度响应的电子电路中。常见使用场景包括电源去耦，尤其是在微处理器、FPGA、ASIC 和数字逻辑芯片的供电引脚附近，用于滤除高频噪声并稳定电压。其低 ESR 特性有助于提高电源完整性，减少电压跌落和瞬态干扰，保障系统稳定运行。
　　在模拟电路中，该电容器可用于信号耦合与旁路，例如在运算放大器、ADC/DAC 前端电路中隔离直流分量或滤除高频干扰。由于其在宽温度范围内性能稳定，也常用于工业传感器模块、数据采集系统和远程监控设备中，以确保长时间工作的精度不受环境影响。
　　通信设备如无线收发模块、基站前端电路、路由器和交换机中，PLG1C471MDO1 可作为 RF 匹配网络或滤波电路的一部分，协助实现阻抗匹配与信号净化。其 SMD 封装形式兼容回流焊工艺，适合大规模自动化生产。
　　此外，该器件还适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能家居控制器等，用于板级电源管理单元（PMU）的去耦网络。在汽车电子领域，若通过 AEC-Q200 认证，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和 ADAS 传感器供电路径中，提供可靠的滤波功能。总之，其多功能性、高可靠性和紧凑尺寸使其成为多种电子系统设计中的首选 MLCC 器件之一。