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BZX84C3V3W_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 9:14:41 查看 阅读:17

BZX84C3V3W_R1_00001 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装齐纳二极管(稳压二极管),广泛用于电压参考、电压调节和保护电路中。该器件的标称齐纳电压为3.3V,适用于低功耗应用场合,如便携式设备、电源管理系统和嵌入式控制系统等。该齐纳二极管采用SOT-323(也称为SC-70)封装,具有体积小、响应速度快和稳定性高等特点。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压(Vz):3.3V(在测试电流IZT下)
  最大齐纳电流(IZmax):200mA(典型值)
  最大耗散功率(Ptot):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-323(SC-70)
  测试电流(IZT):5mA
  齐纳阻抗(Zzt):约90Ω(最大值)
  漏电流(IR):≤100nA(在VR下)
  反向击穿电压容差:±5% 或 ±2%(根据后缀不同而异)

特性

BZX84C3V3W_R1_00001 的核心特性之一是其稳定的3.3V参考电压输出,适用于高精度的电压参考电路。由于其齐纳电压容差可选(±5%或±2%),该器件能够满足不同应用场景对电压精度的需求。其SOT-323封装形式不仅节省空间,还便于自动化贴片装配,适用于高密度PCB布局。
  该器件具有良好的温度稳定性,能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内保持稳定的电压参考性能。这对于工作在极端环境下的电子设备(如汽车电子、工业控制系统)尤为重要。
  此外,BZX84C3V3W_R1_00001 的响应速度快,适用于瞬态电压抑制和稳压保护应用。它能够在电源波动或负载变化时快速调节电压,防止后级电路受到损害。其低漏电流特性也有助于降低功耗,提高系统能效,非常适合电池供电设备使用。
  作为一款成熟且广泛应用的齐纳二极管,该器件具有较高的可靠性和成本效益,是许多消费类电子、通信设备和传感器电路中的常用元件。

应用

BZX84C3V3W_R1_00001 常用于需要稳定电压参考或电压限制的电路设计中。例如,在微控制器系统中,它可以为ADC(模数转换器)提供参考电压,确保采样精度;在电源管理电路中,可用于构建简易的电压调节器或作为过压保护元件;在通信模块中,常用于电平转换和信号钳位,以保护敏感的模拟或数字输入。
  该器件也广泛应用于各种便携式设备中,如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等,用于保护USB接口、蓝牙模块和Wi-Fi芯片等低电压器件免受静电放电(ESD)和电压尖峰的影响。
  在工业控制和传感器系统中,BZX84C3V3W_R1_00001 可用于稳定传感器供电电压或作为比较器的参考电压源,确保测量结果的准确性。它还可以用于构建简易的稳压电源,特别是在对成本和空间有严格要求的设计中。
  此外,该器件也适用于LED驱动电路、电池充电管理电路和各种模拟电路中的基准电压设置。

替代型号

BZX84C3V3LT1G、BZX84C3V3E6383、BZX84C3V3T_R1_00001

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BZX84C3V3W_R1_00001参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,252,000 : ¥0.12879卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)3.3 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)95 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装SOT-323