时间：2025/6/11 20:06:32
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PL8N10AGS8 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，属于 enhancement-mode GaN FET 类型。该器件采用了先进的封装技术以提升散热性能和电气特性。由于其卓越的开关速度和低导通电阻特性，PL8N10AGS8 广泛应用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电源适配器以及无线充电设备中。此外，它还能够支持更高的工作频率，从而减小磁性元件的体积并优化系统整体效率。
这款芯片因其高功率密度和高效能而备受关注，适用于需要紧凑设计和高性能表现的应用场景。相比传统硅基 MOSFET，PL8N10AGS8 在高频下的能量损耗显著降低，同时具备更优的热稳定性和可靠性。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管
耐压：100V
持续漏极电流：8A
导通电阻：7mΩ（典型值）
栅极电荷：20nC（最大值）
开关频率：高达5MHz
封装形式：TO-252(DPAK)
PL8N10AGS8 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高负载条件下提供高效的电力传输。
2. 高速开关能力，支持高频操作，有助于缩小无源元件尺寸并提高功率密度。
3. 内置栅极驱动保护电路，防止因过电压或瞬态干扰导致的损坏。
4. 具备优异的热性能，适合长时间在高温环境下运行。
5. 支持零电压开关 (ZVS) 拓扑结构，进一步减少开关损耗。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
PL8N10AGS8 可广泛用于以下领域：
1. 快速充电器和 USB-PD 适配器。
2. 高频 DC-DC 转换器及 PoE (以太网供电) 系统。
3. 无线充电发射端和接收端模块。
4. 服务器及通信设备中的高效电源管理。
5. LED 驱动器和其他需要高效率、高频率工作的应用场景。
PL8N10AHS8, EPC2052, GS66508B
