HZU2.7B2TRF是一款由ROHM Semiconductor制造的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和过压保护电路中。该器件采用SOD-523封装,适合在小型电子设备中应用,例如便携式电子产品和传感器电路。HZU2.7B2TRF的齐纳电压为2.7V,能够提供稳定的参考电压,并在电路中起到保护关键元件的作用。
类型:齐纳二极管
齐纳电压:2.7V
容差:±2%
最大耗散功率:200mW
封装类型:SOD-523
工作温度范围:-55°C 至 150°C
最大正向电流:100mA
最大反向漏电流:100nA(在1V时)
HZU2.7B2TRF齐纳二极管具有优异的电压稳定性,能够在输入电压波动的情况下提供恒定的输出电压。该器件的±2%容差确保了在精密电路中的可靠性。由于其SOD-523封装体积小巧,适合在空间受限的设计中使用。
此外,HZU2.7B2TRF的200mW最大耗散功率使其能够在中低功率应用中高效运行,同时保持良好的热稳定性。其工作温度范围从-55°C到150°C,适用于各种严苛环境条件下的应用。
该齐纳二极管还具有较低的反向漏电流(在1V时为100nA),减少了在低电压应用中的功耗。最大正向电流为100mA,使其能够承受一定的瞬态过载。HZU2.7B2TRF的这些特性使其成为电压参考、过压保护和稳压电路的理想选择。
HZU2.7B2TRF主要应用于需要稳定电压参考和过压保护的电路中。例如,它常用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)的电源管理电路中,以确保系统电压的稳定性。
在传感器电路中,HZU2.7B2TRF可以作为基准电压源,提供精确的参考电压以提高测量精度。它还广泛应用于模拟和数字电路中的过压保护,防止敏感元件因电压波动而损坏。
此外,该齐纳二极管也可用于电池供电设备中的电压调节,确保电池在不同放电状态下的稳定输出。由于其小型SOD-523封装,HZU2.7B2TRF也适用于需要高密度元件布局的PCB设计。
HZU2.7B2TRF的替代型号包括ZMM2.7、ZMC2.7、MM5Z2V7ST1G和BZT52C2V7。