时间：2025/4/30 12:06:34
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PL80N10GA是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。其耐压值为100V，能够满足大多数中小功率应用需求。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：80A
导通电阻：2.9mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：43nC（典型值）
总耗散功率：114W（@Tc=25℃）
工作温度范围：-55℃至+175℃
PL80N10GA具备较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提升效率。
该器件支持高频开关操作，适合用于高效率的开关电源设计。
其采用TO-252封装，体积小巧，便于安装在紧凑型电路板上。
由于具备较高的雪崩击穿能力和热稳定性，该器件能够在恶劣环境下可靠运行。
同时，它具有快速开关速度，从而减少开关损耗。
该芯片适用于多种电力电子设备，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. DC-DC转换器及升压/降压电路。
4. 各类保护电路，例如过流保护和负载切换。
5. 汽车电子系统中的负载开关和电池管理模块。
IRFZ44N
STP80NF10
FDP16N10
