时间：2025/5/19 18:28:24
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PL7N60是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。它具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合在高频和高压环境下工作。
该器件采用TO-220封装形式，便于散热设计，并且能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能表现。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
漏极电流（连续）：7A
漏极电流（脉冲）：35A
导通电阻：0.8Ω
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃至+150℃
PL7N60的主要特性包括：
1. 高击穿电压（600V），确保在高压电路中的可靠性。
2. 低导通电阻（0.8Ω），降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，适用于高频应用场合。
4. 强大的浪涌电流能力，能够承受瞬时大电流冲击。
5. TO-220标准封装，提供良好的散热性能。
6. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
PL7N60适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
2. 电机控制与驱动电路。
3. 逆变器和不间断电源（UPS）。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电磁阀驱动和继电器控制。
6. 太阳能逆变器和新能源系统。
7. 各类工业自动化设备中的功率转换模块。
IRFZ44N
STP7NK60Z
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IXTK20N60P
