型号：PL671-02-C44TC-R
　　制造商：Littelfuse
　　器件类型：TVS二极管阵列
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：2.8V
　　击穿电压（VBR）：最小3.1V，典型值3.5V
　　最大钳位电压（VC）：12.8V（在IPP=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　电容值（Ct）：每通道典型值0.3pF（在1MHz下测得）
　　ESD耐受能力：±15kV（接触放电），IEC 61000-4-2 Level 4
　　封装类型：4-Pin DFN（C44TC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　极性：双向保护
　　低漏电流：典型值小于1μA（在VRWM下）

PL671-02-C44TC-R的核心特性之一是其超低电容设计，每通道电容典型值仅为0.3pF，这一特性使其特别适用于高频、高速数据传输接口的保护，例如USB 2.0、HDMI、MIPI、SD卡接口以及RF天线线路等。在这些应用中，传统保护器件往往因寄生电容过大而导致信号衰减或失真，而该器件凭借极低的负载效应，几乎不会影响原始信号的完整性，确保数据传输速率不受限制。此外，其双向击穿特性允许它在正负瞬态电压下均能有效动作，适应交流或双极性信号线路的防护需求。
　　另一个关键优势在于其卓越的ESD防护性能。根据IEC 61000-4-2标准测试，该器件可承受±15kV接触放电和±18kV空气放电，达到最高防护等级Level 4，远高于大多数消费类电子产品所要求的安全阈值。这意味着即使在频繁人体接触或干燥环境中产生的高强度静电冲击下，连接的IC仍能得到可靠保护。同时，其快速响应时间低于1纳秒，能够在瞬态电压上升初期即启动钳位机制，将瞬态能量引导至地线，从而最大限度减少对后级电路的影响。
　　该器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性。采用先进的硅芯片工艺和坚固的封装结构，能够在-40°C至+125°C的宽温范围内稳定运行，适应严苛的工业与车载环境。其低漏电流特性（典型值小于1μA）保证了在正常工作状态下几乎不消耗额外功率，有助于延长电池供电设备的续航时间。此外，DFN封装不仅节省PCB空间，而且具有优良的散热性能，有利于提高系统的整体耐用性。综合来看，PL671-02-C44TC-R是一款高性能、小型化、低干扰的瞬态保护解决方案，广泛用于对体积、功耗和信号质量有严格要求的应用场景。

PL671-02-C44TC-R主要应用于需要高等级静电放电保护的高速模拟与数字信号线路中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的USB Type-A和Type-C接口数据线保护，尤其是在智能手机和平板电脑中用于防止用户插拔过程中引入的ESD损伤主控芯片。此外，该器件也常用于高清多媒体接口（HDMI）和移动产业处理器接口（MIPI）的差分对保护，保障视频和图像数据的无损传输。在无线通信模块中，如Wi-Fi、蓝牙和GPS天线前端，PL671-02-C44TC-R可用于防止雷击感应或附近大功率设备引发的瞬态干扰，提升射频链路的稳定性。
　　在工业自动化领域，该器件适用于传感器信号调理电路、编码器接口和现场总线通信端口的保护，抵御工厂环境中常见的电气噪声和开关瞬变。汽车电子系统中，尽管该器件并非AEC-Q101认证产品，但在非动力域的车载信息娱乐系统（IVI）和后排显示屏的数据通道中仍有应用潜力，特别是在低成本且需一定ESD防护的设计方案中。医疗设备方面，用于便携式监护仪、血糖仪等人机交互接口的信号线保护，确保设备在频繁操作下的安全性和稳定性。总之，任何涉及低电压、高频率信号传输并暴露于外部环境的电子系统，都可以从PL671-02-C44TC-R所提供的高效瞬态抑制能力中受益。

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　　 "SP3209-02UTG",
　　 "RCLAMP0524P",
　　 "EMIF02-2SC6",
　　 "TPD2E001DBVR"
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