时间：2025/8/9 11:01:01
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1DI200ZN-120-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率半导体模块，属于IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块的一种。该模块主要用于高功率应用，例如工业电机控制、变频器、逆变器以及不间断电源系统（UPS）等。这款模块集成了IGBT芯片和快速恢复二极管，提供了较高的功率密度和良好的热性能。
类型：IGBT模块
最大集电极电流：200A
最大阻断电压：1200V
导通压降：约2.1V（典型值）
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：双列直插式封装（Dual-in-line Package, DIP）
短路耐受能力：支持
热阻（Rth）：根据散热条件变化
1DI200ZN-120-01 拥有优异的功率处理能力和高效的开关特性，适合高要求的工业应用。其集成的IGBT和快速恢复二极管能够有效减少电路设计的复杂性并提高系统的可靠性。此外，该模块采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能和机械稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定的运行。
该模块的高阻断电压能力（1200V）使其适用于多种高压应用，同时其高电流容量（200A）能够满足大功率电机和逆变器的需求。IGBT的低导通压降和快速开关特性也帮助降低能量损耗，提高整体效率。
此外，1DI200ZN-120-01 还具备较强的短路耐受能力，能够在短时间内承受过载电流，从而提高系统的安全性和可靠性。其宽广的工作温度范围（-40°C至+150°C）使其能够适应各种环境条件，包括高温和低温应用。
该模块广泛应用于工业自动化设备、变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动车充电设备、电机驱动系统等高功率电子系统中。由于其高可靠性和优异的性能，它也是许多工业和能源系统中不可或缺的关键组件。
Toshiba 1DI200ZNA-120, Fuji Electric 2MBI200XJ-120, Mitsubishi CM200DY-12H
